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用XPS法研究SiO_2/4H-SiC界面的组成 被引量:4
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作者 赵亮 王德君 +2 位作者 马继开 陈素华 王海波 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期121-125,共5页
利用X射线光电子谱(XPS)研究了高温氧化形成的Si02/4H.SiC界面的化学组成。获取低浓度HF酸刻蚀速度基础上制备出超薄氧化膜(1~1.5nm)样品,并借助标准物对照法辅助谱峰分析。结果表明,高温氧化Si02/4H.SiC界面,类石墨碳较... 利用X射线光电子谱(XPS)研究了高温氧化形成的Si02/4H.SiC界面的化学组成。获取低浓度HF酸刻蚀速度基础上制备出超薄氧化膜(1~1.5nm)样品,并借助标准物对照法辅助谱峰分析。结果表明,高温氧化Si02/4H.SiC界面,类石墨碳较多,除Si^+成分外,还存在Si^2+和Si^3+两种低值氧化物。三种工艺处理后界面成分含量的对比,指出界面成分可通过合理工艺有效控制,以C-V测试曲线印证了界面成分减少对电学特性的改善。 展开更多
关键词 二氧化硅/碳化硅 4H-碳化硅 X射线光电子谱 超薄氧化
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SiC MOS界面氮等离子体改性及电学特性评价 被引量:1
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作者 王德君 李剑 +2 位作者 朱巧智 秦福文 宋世巍 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期310-314,共5页
降低SiO2/SiC界面态密度是SiCMOS器件研究中的关键技术问题。采用氮等离子体处理SiO2/SiC界面,制作MOS电容后通过I-V、C-V测试进行氧化膜可靠性及界面特性评价,获得的氧化膜击穿场强约为9.96MV/cm,SiO2/SiC势垒高度2.70eV,同时在费米能... 降低SiO2/SiC界面态密度是SiCMOS器件研究中的关键技术问题。采用氮等离子体处理SiO2/SiC界面,制作MOS电容后通过I-V、C-V测试进行氧化膜可靠性及界面特性评价,获得的氧化膜击穿场强约为9.96MV/cm,SiO2/SiC势垒高度2.70eV,同时在费米能级附近SiO2/SiC的界面态密度低减至2.27×1012cm-2eV。实验结果表明,氮等离子体处理SiO2/SiC界面后能有效降低界面态密度,改善MOS界面特性。 展开更多
关键词 二氧化硅/碳化硅界面 金属氧化物半导体电容 氮等离子体 界面态密度
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SiO_2/SiC界面的Wet-ROA改性机理研究 被引量:1
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作者 朱巧智 王德君 赵亮 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期339-342,共4页
高温热氧化法在4H-SiC(0001)晶面上生成SiO2氧化膜,采用湿氧二次氧化(wet-ROA)工艺对样品进行处理,通过测量SiCMOS结构界面电学特性,发现wet-ROA工艺有助于降低界面态密度,改善SiO2/SiC界面电学特性。采用变角X射线光电子能谱(ADXPS)技... 高温热氧化法在4H-SiC(0001)晶面上生成SiO2氧化膜,采用湿氧二次氧化(wet-ROA)工艺对样品进行处理,通过测量SiCMOS结构界面电学特性,发现wet-ROA工艺有助于降低界面态密度,改善SiO2/SiC界面电学特性。采用变角X射线光电子能谱(ADXPS)技术对SiO2/SiC界面过渡区进行分析,通过过渡区厚度计算和过渡区成分含量比较,发现湿氧二次氧化工艺可减小过渡区氧化膜厚度,降低过渡区成分含量,进而揭示了降低SiO2/SiC界面态密度,改善界面电学特性的微观机理。 展开更多
关键词 4H碳化硅 金属氧化物半导体 二氧化硅/碳化硅界面 变角X射线光电子能谱 湿氧二次氧化
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热处理在金刚石表面热蒸镀覆SiO_2/SiC晶体复合涂层
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作者 梁宝岩 张旺玺 +4 位作者 王艳芝 徐世帅 闫帅帅 王俊和 穆云超 《材料热处理学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第7期180-184,共5页
采用高温热蒸镀方法处理在金刚石表面镀覆上了SiO_2/SiC晶粒复合涂层,同时研究了热处理温度和Al助剂对金刚石表面形成SiO_2/SiC晶粒复合涂层的影响。研究结果表明,在较低温度(1400℃),金刚石表面形成许多SiC和SiO_2和SiC颗粒。当温度升... 采用高温热蒸镀方法处理在金刚石表面镀覆上了SiO_2/SiC晶粒复合涂层,同时研究了热处理温度和Al助剂对金刚石表面形成SiO_2/SiC晶粒复合涂层的影响。研究结果表明,在较低温度(1400℃),金刚石表面形成许多SiC和SiO_2和SiC颗粒。当温度升高到1450℃时,金刚石表面镀覆了良好的SiO_2/SiC复合涂层,形成了许多SiO_2和SiC颗粒、微米棒与晶须。Si粉中添加适量的Al(5 mass%)就会促进Si的蒸发,在1400℃时金刚石表面就会形成大量的SiO_2和SiC颗粒、微米棒与晶须。 展开更多
关键词 热镀覆处理 金刚石 二氧化硅/碳化硅复合涂层晶体
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Dip-coating of SiO2 onto ZnO-SiC Composite Membrane
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作者 Hyeyoun Hwang Hyunji Choi Miewon Jung 《Journal of Energy and Power Engineering》 2015年第6期562-565,共4页
SiC composite membrane was fabricated by mixing with SiC and ZnO powder. This mixture was pressed and sintered at 1,300 ℃ under air condition. This sintered ZnO-SiC membrane was dip-coated by silica sol and followed ... SiC composite membrane was fabricated by mixing with SiC and ZnO powder. This mixture was pressed and sintered at 1,300 ℃ under air condition. This sintered ZnO-SiC membrane was dip-coated by silica sol and followed by heat-treatment. This membrane was characterized by XRD (X-ray diffraction), FE-SEM (field emission scanning electron microscopy) and BET (Brunauer-Emmett-Teller) instruments. Hydrogen permeation test was conducted at 0.1 MPa pressure and also variation of temperatures. The obtained value of heat-treated membrane after dip-coating at 298 K was obtained as 1.61 × 10-6 mol/(m2·s·Pa). 展开更多
关键词 ZnO-SiC membrane dip-coated hydrogen permeation test.
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SiC nanowires with thickness-controlled SiO2 shells: Fabrication, mechanism, reaction kinetics and photoluminescence properties 被引量:9
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作者 Zhenjiang Li Jian Zhao +2 位作者 Meng Zhang Jiyin Xia Alan Meng 《Nano Research》 SCIE EI CAS CSCD 2014年第4期462-472,共11页
SiC nanowires with thickness-controlled SiO2 shells have been obtained by a simple and efficient method, namely treatment of SiC/SiO2 core-shell nanowires in NaOH solution. The products were characterized by transmiss... SiC nanowires with thickness-controlled SiO2 shells have been obtained by a simple and efficient method, namely treatment of SiC/SiO2 core-shell nanowires in NaOH solution. The products were characterized by transmission electron microscopy (TEM), high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM), X-ray diffraction (XRD), Raman spectroscopy, infrared (IR) spectroscopy, and photoluminescence spectroscopy. The thickness of the SiO2 shell can be effectively controlled by selecting the appropriate processing time, and pure SiC nanowires were also obtained by alkaline cleaning in 1 mol-L-1 NaOH solution for 40 min at 70 ~C. A mechanism for the removal of the SiO2 shells has been proposed, and a two-phase reaction kinetic equation was derived to explain the rate of the removal of the SiO2 shells. The validity of this equation was verified by experiment. This work not only describes an effective experimental method for achieving SiC nanowires with thickness-controlled SiO2 coatings but also provides a fundamental theoretical equation with a certain level of generality. In addition, photoluminescence (PL) measurement results showed that the SiC nanowires sheathed with an optimum SiO2 thickness (3.03 nm) have better photoluminescence properties than either the bare SiC nanowires or SiC nanowires with thicker coatings of SiO2. 展开更多
关键词 SiC nanowires thickness-controlled SiO2shell alkaline cleaning kinetic equation photoluminescence properties
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