多晶硅／二氧化硅界面的俄歇谱分析

利用扫描俄歇微探针对多晶硅／二氧化硅界面进行分析，发现多晶硅／二氧化硅界面不是突变的，而存在着一个过渡区。根据多晶硅薄膜的成核理论，分析了该过渡区产生的原因，并利用＂幸运载流子＂模型，定量分析该过渡区对ＭＯＳ结构热载流子注入效应的影响。

SiC MOS界面氮等离子体改性及电学特性评价

降低SiO2/SiC界面态密度是SiCMOS器件研究中的关键技术问题。采用氮等离子体处理SiO2/SiC界面,制作MOS电容后通过I-V、C-V测试进行氧化膜可靠性及界面特性评价,获得的氧化膜击穿场强约为9.96MV/cm,SiO2/SiC势垒高度2.70eV,同时在费米能级附近SiO2/SiC的界面态密度低减至2.27×1012cm-2eV。实验结果表明,氮等离子体处理SiO2/SiC界面后能有效降低界面态密度,改善MOS界面特性。

SiO_2/SiC界面的Wet-ROA改性机理研究

高温热氧化法在4H-SiC(0001)晶面上生成SiO2氧化膜,采用湿氧二次氧化(wet-ROA)工艺对样品进行处理,通过测量SiCMOS结构界面电学特性,发现wet-ROA工艺有助于降低界面态密度,改善SiO2/SiC界面电学特性。采用变角X射线光电子能谱(ADXPS)技术对SiO2/SiC界面过渡区进行分析,通过过渡区厚度计算和过渡区成分含量比较,发现湿氧二次氧化工艺可减小过渡区氧化膜厚度,降低过渡区成分含量,进而揭示了降低SiO2/SiC界面态密度,改善界面电学特性的微观机理。

界面陷阱对硅纳米晶粒基MOS电容的电荷存储特性的影响

利用电容 电压 (C V )测量研究了界面陷阱对于硅纳米晶粒基金属 氧化物 半导体(MOS)电容结构的电荷存储特性的影响 .研究表明硅纳米晶粒的界面陷阱与SiO2 /Si衬底界面态对电荷存储有着不同的影响作用 .长时间存储模式下的电荷存储行为主要由存储电荷从深能级陷阱直接隧穿到SiO2

硅烷偶联剂修饰下SiO2-甲基乙烯基硅橡胶分子界面的粘结性

纳米SiO2掺杂已经成为提升甲基乙烯基硅橡胶(MVSR)性能的有效方法,但是纳米SiO2容易发生团聚现象,将其直接掺到MVSR基体中时,纳米SiO2难以在MVSR基体中分散,从而造成SiO2-MVSR分子界面粘结效果不佳、分子界面存在缺陷等不利影响,进而无法实现提升MVSR性能的目的。为了提升SiO2-MVSR分子界面的粘结性,使纳米SiO2在MVSR基体中更易分散,本文构建了未修饰和KH550、KH560、KH570、KH792四种硅烷偶联剂修饰下的SiO2-MVSR分子界面模型,并对模型进行结构优化和分子动力学计算。通过比较不同模型中分子界面的结合能、粘结深度和粘结热稳定性的变化规律,从分子结构角度分析硅烷偶联剂修饰下SiO2-MVSR分子界面粘结性提升的原因。研究表明:提升SiO2-MVSR分子界面粘结性的关键在于优选硅烷偶联剂的非水解基团,当非水解基团中与MVSR分子链相同的化学键占比越大,包含电负性较强原子的数量越多时,修饰后SiO2-MVSR分子界面粘结性的提升效果就越好,同时,硅烷偶联剂较长的链长与较大的相对分子质量也会对粘结性的提升起到一定帮助。