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二氧化硅薄膜沉积技术的主要化学反应与方法 被引量:2
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作者 王长林 《包头职业技术学院学报》 2008年第3期7-8,共2页
对二氧化硅薄膜沉积技术中的主要化学方法、化学气相沉积等进行讨论,综述不同温度条件下各种沉积的方法及其发生的主要化学反应。
关键词 二氧化硅薄膜沉积 化学气相沉积(CVD) 硅烷 四乙氧基硅(TEOS)
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