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二氧化硅薄膜沉积技术的主要化学反应与方法
被引量:
2
1
作者
王长林
《包头职业技术学院学报》
2008年第3期7-8,共2页
对二氧化硅薄膜沉积技术中的主要化学方法、化学气相沉积等进行讨论,综述不同温度条件下各种沉积的方法及其发生的主要化学反应。
关键词
二氧化硅薄膜沉积
化学气相
沉积
(CVD)
硅烷
四乙氧基硅(TEOS)
下载PDF
职称材料
题名
二氧化硅薄膜沉积技术的主要化学反应与方法
被引量:
2
1
作者
王长林
机构
包头职业技术学院人文与艺术设计系
出处
《包头职业技术学院学报》
2008年第3期7-8,共2页
文摘
对二氧化硅薄膜沉积技术中的主要化学方法、化学气相沉积等进行讨论,综述不同温度条件下各种沉积的方法及其发生的主要化学反应。
关键词
二氧化硅薄膜沉积
化学气相
沉积
(CVD)
硅烷
四乙氧基硅(TEOS)
Keywords
Silicon Dioxide Film Deposition
CVD
silicane
TEOS
分类号
O613.72 [理学—无机化学]
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作者
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1
二氧化硅薄膜沉积技术的主要化学反应与方法
王长林
《包头职业技术学院学报》
2008
2
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