在二氧化硅衬底上制备磁光Ce∶YIG薄膜用于磁光波导型器件

对Ce1YIG磁光薄膜的制备过程及磁光性能进行了详细的研究 .用RF磁控溅射法在二氧化硅的基片上淀积Ce1YIG薄膜 ,再对此薄膜进行晶化处理 ,以得到具有磁光性能的Ce1YIG薄膜 .本文讨论了晶化过程中 ,Ce1YIG薄膜微观结构的变化对其磁光性能的影响 .结果表明 :采用波长为 6 30nm的可见光测量 ,薄膜的饱和法拉第旋转系数θF为 0 .8deg/ μm .同时 ,晶化薄膜易磁化方向为平行于膜面方向 ,其居里温度点为 2 2 0℃ .所得Ge1YIG薄膜的参数表明

用射频磁控溅射法在二氧化硅衬底上制备磁光Ce∶YIG薄膜

使用射频磁控溅射法在非晶态的二氧化硅衬底上制备Ce1YIG磁光薄膜。生成的Ce1YIG薄膜为非晶态形式 ,经过后续的热处理过程 ,转变为晶化薄膜 ,在用波长为 6 30nm的激光测量时 ,薄膜的饱和法拉弟旋转系数θF 为 80 0°/mm。晶化薄膜具有很强的平行于膜面的磁化强度 ,用VSM测得晶化薄膜的居里温度为 2 2 0℃。实验结果表明 :所制备的薄膜适宜于制备波导型磁光隔离器。同时 。

以SiO_2/Si为衬底的Ba_(1-x)La_xNb_yTi_(1-y)O_3薄膜的敏感特性(英文)

通过离子束溅射技术淀积在SiO2 /Si衬底上的钛酸镧钡铌膜 (Ba1-xLaxNbyTi1- yO3) ,制成集薄膜电阻和金属 -绝缘体 -半导体 (MIS)电容为一体的传感器 .实验结果表明 ,薄膜电阻在 30 3～ 6 73K温度范围内对可见光和热具有良好的灵敏特性 ,同时MIS电容对相对湿度有很高的灵敏度 .我们测试了此薄膜的光吸收特性 ,并得到了它的禁带宽度 .最后 ,我们研究了薄膜电阻的阻抗温度频率特性和频率对MIS电容湿敏特性的影响 .

界面陷阱对硅纳米晶粒基MOS电容的电荷存储特性的影响

利用电容 电压 (C V )测量研究了界面陷阱对于硅纳米晶粒基金属 氧化物 半导体(MOS)电容结构的电荷存储特性的影响 .研究表明硅纳米晶粒的界面陷阱与SiO2 /Si衬底界面态对电荷存储有着不同的影响作用 .长时间存储模式下的电荷存储行为主要由存储电荷从深能级陷阱直接隧穿到SiO2

定向碳纳米管列阵的制备和特性的研究

自1991年 Iijima 发现碳纳米管以来,由于它新颖的结构以及理论计算和实验研究揭示的独特性能,立刻在各领域引起了科学家们的极大关注和兴趣。碳纳米管具有很大的长度直径比和极高的强度;随管径和结构的变化可具有绝缘体、半导体和金属的导电特性;还具有很强的场发射能力,等等。因此,碳纳米管将会有十分广泛的应用前景,已成为当今基础研究和应用研究的热点。目前。

Effects of substrate type and material-substrate bonding on high-temperature behavior of monolayer WS2

这研究表明在 2D 材料和它的底层之间的相互作用能显著地修改它的电子、光的性质，并且能因此被用作一个工具优化这些性质。高温度(25500 灭獯瑩 ? 慭牴硩 ? 桔 ? 楤' 湛?慣慰楣楴獥漠 ? 桴 ? 潍 ? ??? 猯'T?? 潣灭獯瑩 ?