二氧化钌厚膜电阻涂层电阻温度特性

以二氧化钌为导电相的厚膜电阻涂层具有电阻稳定性好和电阻温度系数低等优点,被广泛应用于厚膜集成电路。本研究分别以连续铝硅酸盐纤维增强二氧化硅(ASf/SiO_(2))复合材料和氧化铝陶瓷为基材,采用丝网印刷工艺在2种基材表面印制了二氧化钌电阻涂层,并通过数字图像相关法、有限元分析法和XRD应力测定法系统研究了25~700℃范围内电阻涂层和基材之间的热匹配特性,分析了涂层的电阻温度特性。结果表明,由于电阻涂层的热膨胀系数大于ASf/SiO_(2)复合材料,导致烧结其上的电阻涂层在室温状态受到残余拉应力,高温状态下该拉应力被释放,导电颗粒间的距离减小,势垒电阻减小,宏观表现为涂层电阻随测试温度升高而减小,呈现负的电阻温度特性。相反,由于电阻涂层的热膨胀系数小于氧化铝陶瓷,烧结其上的电阻涂层在室温状态受到残余压应力,高温状态压应力释放导致导电颗粒间的距离增大,势垒电阻增加,电阻涂层呈现正的温度特性。

RuO_2基厚膜电阻电脉冲调阻工艺研究

用厚膜法制备了RuO2基厚膜电阻,研究了电阻值变化与脉冲电压的关系,分析了调阻工艺的特点;测量了电阻的可调整极限,目标值、偏差与初始电阻的特性,最佳阻值调整范围;研究了二次烧结对调整电阻值的影响规律。