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加载二氧化钒的太赫兹宽带可调超材料吸波体设计 被引量:1
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作者 王连胜 夏冬艳 +3 位作者 陈龙溪 付全红 丁学用 汪源 《济南大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2020年第4期402-409,共8页
为了实现太赫兹波调制器件对太赫兹波的快速响应,设计一种基于二氧化钒(VO 2)电阻膜的太赫兹波段宽带可调谐超材料吸波体,研究不同温度时吸波体的吸收率,并通过监控表面电流分布,分析吸波体宽带吸收以及可调吸收的机理。结果表明:吸波... 为了实现太赫兹波调制器件对太赫兹波的快速响应,设计一种基于二氧化钒(VO 2)电阻膜的太赫兹波段宽带可调谐超材料吸波体,研究不同温度时吸波体的吸收率,并通过监控表面电流分布,分析吸波体宽带吸收以及可调吸收的机理。结果表明:吸波体在温度为35℃时表现出宽带吸收特性,吸收率大于90%的频段频率为6.508~9.685 THz,带宽为3.177 THz,通过改变温度可以实现吸波体吸收率的调控;该吸波体对电磁波的吸收具有极化不敏感和宽角度吸收的特点。 展开更多
关键词 超材料吸波体 宽带 可调谐 太赫兹 二氧化(vo 2)电阻膜
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水热法制备二氧化钒纳米带的研究 被引量:1
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作者 王休 张晓亮 +1 位作者 易戈文 贾均红 《西北师范大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2012年第4期52-55,共4页
以NaHSO3作为还原剂,将V2O5颗粒还原为VO2.在260℃、pH=1的水热条件下反应8h制得亚稳相VO2(B).NaHSO3不仅作为还原剂,而且对产物形貌的控制起关键作用.通过水热反应得到的VO2(B)是长0.5~5μm、宽50~100nm的纳米带.600℃下退火处理6h,V... 以NaHSO3作为还原剂,将V2O5颗粒还原为VO2.在260℃、pH=1的水热条件下反应8h制得亚稳相VO2(B).NaHSO3不仅作为还原剂,而且对产物形貌的控制起关键作用.通过水热反应得到的VO2(B)是长0.5~5μm、宽50~100nm的纳米带.600℃下退火处理6h,VO2(B)完全转化为具有相变性质的VO2(M),相变温度为68.7℃. 展开更多
关键词 水热法 二氧化(vo2) 纳米带
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二氧化钒薄膜的反常热色性能和热滞回线
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作者 张化福 景强 孙艳 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第8期640-644,共5页
利用磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了不同厚度的二氧化钒(VO2)薄膜。实验结果表明,所制备的VO2薄膜都具有显著的热色性能。厚度较大的薄膜在低温时具有较高的透过率,而在高温时具有较低的透过率。然而,厚度较小的薄膜在500~860 nm波长... 利用磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了不同厚度的二氧化钒(VO2)薄膜。实验结果表明,所制备的VO2薄膜都具有显著的热色性能。厚度较大的薄膜在低温时具有较高的透过率,而在高温时具有较低的透过率。然而,厚度较小的薄膜在500~860 nm波长内的情况正好相反,即低温透过率比高温时的小。厚度较小的薄膜在500~860 nm波长内具有沿逆时针方向的热滞回线,这恰好与波长大于860 nm的情况相反。利用光学干涉理论对这一反常的热色现象及热滞回线进行了理论解释,为进一步理解VO2薄膜的热色性能及相变性能提供参考。 展开更多
关键词 二氧化(vo2) 磁控溅射 反常热色性能 逆时针热滞回线 薄膜
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磁控溅射氧化钒相变薄膜的电阻温度特性测量 被引量:3
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作者 乔亚 俞红兵 +2 位作者 齐博蕾 路远 凌永顺 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2014年第2期202-204,共3页
利用MS500-B超高真空磁控溅射镀膜机,分别采用氧化法和还原法在普通玻璃基底上制备了二氧化钒(VOz)相变薄膜;并在20-80℃内往复变化时,利用XMT-100数字精密温度计和SX1934数字四探针测试仪测量两类样品的电阻-温度特性曲线。结果... 利用MS500-B超高真空磁控溅射镀膜机,分别采用氧化法和还原法在普通玻璃基底上制备了二氧化钒(VOz)相变薄膜;并在20-80℃内往复变化时,利用XMT-100数字精密温度计和SX1934数字四探针测试仪测量两类样品的电阻-温度特性曲线。结果表明,两类样品均具有热敏相变特性;氧化法制备薄膜的电阻为9.96~0.06kΩ,相变温度约为30℃;还原法制备薄膜的电阻为80.3~7.4kΩ,相变温度约为52℃。 展开更多
关键词 直流磁控溅射 二氧化(vo2)薄膜 退火
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用于智能窗的低温相变VO_2薄膜
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作者 徐小俊 《湖北第二师范学院学报》 2019年第2期7-11,共5页
用磁控溅射法和退火处理在石英衬底上制备了高质量的二氧化钒薄膜,实验结果显示制备的薄膜为纳米级,晶粒均匀。相变前后薄膜电阻变化了4个数量级,说明制备的薄膜具有很好的相变特性。电学和光学实验均证明了制备的薄膜相变温度在53℃左... 用磁控溅射法和退火处理在石英衬底上制备了高质量的二氧化钒薄膜,实验结果显示制备的薄膜为纳米级,晶粒均匀。相变前后薄膜电阻变化了4个数量级,说明制备的薄膜具有很好的相变特性。电学和光学实验均证明了制备的薄膜相变温度在53℃左右,比纯的单晶VO_2具有低温相变特性。热致相变实验和分光光度计测试结果均显示VO_2薄膜在红外波段具有很高的开关率,在波长为3.36处开关率达到70.1%,进一步证明了制备的VO_2薄膜在智能窗应用方面具有实用性。 展开更多
关键词 二氧化(vo2) 低温相变 智能窗 磁控溅射
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Au doping effects on electrical and optical properties of vanadium dioxides 被引量:2
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作者 YaBin Zhu Fan He Jie Na 《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》 SCIE EI CAS 2012年第3期409-412,共4页
Vanadium dioxides were fabricated on normal glass substrates using reactive radio frequency (RF) magnetron sputtering. The oxygen flow volume and annealed temperatures as growth parameters are systematically investi... Vanadium dioxides were fabricated on normal glass substrates using reactive radio frequency (RF) magnetron sputtering. The oxygen flow volume and annealed temperatures as growth parameters are systematically investigated. The electrical and opti- cal properties of VO2 and Au:VO2 thin films with different growth conditions are discussed. The semiconductor-metal phase transition temperature decreased by -10~C for the sample with Au doping compared to the sample without Au doping. How- ever, the optical transmittance of Au:VO2 thin films is much lower than that of bare VO2. These results show that Au doping has a marked effect on the electrical and optical properties. 展开更多
关键词 vo2 thin film TRANSMITTANCE semiconductor-metal phase transition
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