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质量分离的双离子束沉积法生长CeO_2(111)/Si薄膜
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作者 柴春林 杨少延 +3 位作者 刘志凯 廖梅勇 陈诺夫 王占国 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第6期401-403,410,共4页
利用一种全新的薄膜生长技术—质量分离的双离子束沉积技术 ,在较低温度 ( 40 0℃ )下对CeO2 ( 111) /Si( 10 0 )薄膜的生长进行了研究。两束离子的比例以及离子束的能量对薄膜的成分和晶体质量有很大影响 ,较高能量 ( 3 0 0eV)的离子... 利用一种全新的薄膜生长技术—质量分离的双离子束沉积技术 ,在较低温度 ( 40 0℃ )下对CeO2 ( 111) /Si( 10 0 )薄膜的生长进行了研究。两束离子的比例以及离子束的能量对薄膜的成分和晶体质量有很大影响 ,较高能量 ( 3 0 0eV)的离子束对薄膜有轰击作用 ,并有助于薄膜的择优取向生长。在 4 0 0℃时 ,制备了CeO2 ( 111) /Si( 10 0 )单晶薄膜。 展开更多
关键词 薄膜生长 二氧化铈/硅薄膜 双离子束沉积 质量分离
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CeO_2/Si薄膜PL谱的“紫移” 被引量：1
2
作者 柴春林 杨少延 +3 位作者 刘志凯 廖梅勇 陈诺夫 王占国 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第18期1511-1513,共3页
利用双离子束外延技术制备了CeO2/Si薄膜, 椭圆偏振仪测得薄膜厚度为100 nm, 折射系数约为2.455. 实验中发现未经退火处理的CeO2室温光致发光(PL)谱存在着紫移现象, 其移动距离约为65 nm. 利用XRD和XPS对薄膜结构及价态进行分析后表明,... 利用双离子束外延技术制备了CeO2/Si薄膜, 椭圆偏振仪测得薄膜厚度为100 nm, 折射系数约为2.455. 实验中发现未经退火处理的CeO2室温光致发光(PL)谱存在着紫移现象, 其移动距离约为65 nm. 利用XRD和XPS对薄膜结构及价态进行分析后表明, PL谱的移动与氧化物中Ce离子价态有关. 当Ce离子价态发生Ce4+Ce3+变化时, 其PL谱峰位要从蓝光区向紫光区移动, 出现发光峰紫移现象. 展开更多
关键词 CeO2/Si薄膜 PL谱 “紫移” 二氧化铈/硅薄膜 光致发光谱 薄膜结构 离子价态
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