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SiH2Cl2-NH3-N2体系热壁LPCVD Si3N4膜工艺研究
1
作者
谭刚
吴嘉丽
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
2004年第z1期318-321,共4页
介绍了利用SiH2Cl2-NH3-N2体系LPCVD制备Si3N4薄膜的工艺,借助椭圆偏振仪研究了薄膜的厚度及折射率.结果表明:当原料气中氨气与二氯甲硅烷的流量之比(R)较小时(R≤2),获得富Si的Si3N4薄膜,折射率较高.当氨气远远过量时(R>4),折射率处于...
介绍了利用SiH2Cl2-NH3-N2体系LPCVD制备Si3N4薄膜的工艺,借助椭圆偏振仪研究了薄膜的厚度及折射率.结果表明:当原料气中氨气与二氯甲硅烷的流量之比(R)较小时(R≤2),获得富Si的Si3N4薄膜,折射率较高.当氨气远远过量时(R>4),折射率处于1.95~2.00之间.在适当的工艺条件下,获得的Si3N4薄膜表面均匀、平整,折射率达到理想值.
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关键词
二氯甲硅烷-氨体系
LPCVD
氮化
硅
薄膜
折射率
下载PDF
职称材料
题名
SiH2Cl2-NH3-N2体系热壁LPCVD Si3N4膜工艺研究
1
作者
谭刚
吴嘉丽
机构
中国工程物理研究院
出处
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
2004年第z1期318-321,共4页
文摘
介绍了利用SiH2Cl2-NH3-N2体系LPCVD制备Si3N4薄膜的工艺,借助椭圆偏振仪研究了薄膜的厚度及折射率.结果表明:当原料气中氨气与二氯甲硅烷的流量之比(R)较小时(R≤2),获得富Si的Si3N4薄膜,折射率较高.当氨气远远过量时(R>4),折射率处于1.95~2.00之间.在适当的工艺条件下,获得的Si3N4薄膜表面均匀、平整,折射率达到理想值.
关键词
二氯甲硅烷-氨体系
LPCVD
氮化
硅
薄膜
折射率
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
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1
SiH2Cl2-NH3-N2体系热壁LPCVD Si3N4膜工艺研究
谭刚
吴嘉丽
《光学精密工程》
EI
CAS
CSCD
2004
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