WS2花形纳米晶的制备和表征

采用溶胶-凝胶法,将钨酸钠水溶液经阳离子交换树脂获得的三氧化钨溶胶与硫粉混合。在高压反应釜中于650℃加热2 h。采用扫描电镜(SEM)和粉末X射线衍射(XRD)等手段对所制备的样品进行检测分析,对纳米花晶体的制备、影响因素进行初步探讨。结果证实所得灰黑色产物是花形二硫化钨纳米颗粒,组成花的片状单晶长宽约为几十个纳米,厚度约5 nm。

用于固态纳米孔制备的单层WS2薄膜转移技术

由于单层WS2薄膜转移技术的限制,使基于WS2的固态纳米孔精确构筑成为了技术难题,限制了WS2等新型二维材料在固态纳米孔DNA测序领域的应用。在可控生长WS2单层薄膜的基础上,以在SiO2/Si衬底上生长的单层WS2薄膜为研究对象,通过改进传统的聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）辅助湿法转移技术,成功地将单层WS2薄膜精确转移至纳米/微米级Si3N4窗口上。本方法具有可重复性好和操作简便等特点,特别适合小尺寸薄膜的精确转移,可推广至其他二维材料的应用,进而推动基于二维材料的固态纳米孔DNA测序技术的发展。

硫化钨薄膜的制备及光电特性研究

以硫化钨(WS2)饱和溶液为原料,氩气为输运气体,采用化学气相沉积法(CVD)在硅衬底上制备了大面积均匀的硫化钨薄膜。利用X射线衍射和原子力显微镜分析了薄膜的晶体结构及表面形貌,发现该方法生长的WS2薄膜结晶性良好,表面大面积均匀。并利用分光光度计测量了薄膜的光吸收特性,研究发现样品在737 nm附近有很强的光吸收。最后,研究了硫化钨薄膜与硅衬底形成的WS2/Si异质结的I-V特性曲线,发现该异质结器件具有良好的伏安特性;另外,光照下,该异质结在可见光区具有显著的光伏效应,说明可用于制备新型硫化钨二维光电子器件。