二维半导体过渡金属二硫属化物(transition metal dichalcogenide,TMD)具有独特的电学、光学和力学性能,在数字电路、光伏器件和能量存储等多个领域中具有巨大的应用潜力。通过表面掺杂控制TMD的电学性能为实现灵敏传感提供了有效的方...二维半导体过渡金属二硫属化物(transition metal dichalcogenide,TMD)具有独特的电学、光学和力学性能,在数字电路、光伏器件和能量存储等多个领域中具有巨大的应用潜力。通过表面掺杂控制TMD的电学性能为实现灵敏传感提供了有效的方法。本文开展了氧等离子体对二硫化钼(MoS_(2))掺杂特性的研究。首先,测试了MoS_(2)场效应晶体管(field-effect transistor,FET)的输运特性,发现氧等离子体处理对FET具有p型掺杂作用。随后,通过拉曼光谱研究了掺杂机制的成因,并证实了沟道表面类MoO_(3)缺陷的形成。最后,研究了经等离子体处理的晶体管的湿度传感特性,由于氧等离子体处理使得沟道对水分子的吸收中心增加,在潮湿环境下晶体管具有十分灵敏的响应特性,源漏电流值变化了约54%。这项工作不仅提供了一种调控TMD电学性能的简单方法,也展示了低维材料化学传感器的发展潜力。展开更多
目的:以阿替洛尔作为模型药物,旨在开发一种基于聚乙烯亚胺修饰的二硫化钼纳米粒(polyethyleneimine-modified Mo S2nanoparticles,PEI-Mo S2NPs)的近红外激光控释的经皮递药系统(transdermal drug delivery system,TDDS)。方法:通过一...目的:以阿替洛尔作为模型药物,旨在开发一种基于聚乙烯亚胺修饰的二硫化钼纳米粒(polyethyleneimine-modified Mo S2nanoparticles,PEI-Mo S2NPs)的近红外激光控释的经皮递药系统(transdermal drug delivery system,TDDS)。方法:通过一步水热合成法制备3D花瓣状结构的PEI-Mo S2NPs,并通过衰减全反射傅里叶变换红外光谱、X射线衍射分析、扫描电子显微镜和透射电子显微镜对其进行结构表征。通过体外药物释放实验和体外透皮实验研究PEI-Mo S2NPs的控释能力。结果:PEI-Mo S2NPs具有良好的药物负载效率(53.86%)和较高的光热转换能力。近红外激光刺激使阿替洛尔的释放增加了1.56倍。结论:近红外激光可用于控制PEI-Mo S2NPs中药物的释放,促进药物的经皮渗透。展开更多
基金National Natural Science Foundation of China(No.62005042)。
文摘二维半导体过渡金属二硫属化物(transition metal dichalcogenide,TMD)具有独特的电学、光学和力学性能,在数字电路、光伏器件和能量存储等多个领域中具有巨大的应用潜力。通过表面掺杂控制TMD的电学性能为实现灵敏传感提供了有效的方法。本文开展了氧等离子体对二硫化钼(MoS_(2))掺杂特性的研究。首先,测试了MoS_(2)场效应晶体管(field-effect transistor,FET)的输运特性,发现氧等离子体处理对FET具有p型掺杂作用。随后,通过拉曼光谱研究了掺杂机制的成因,并证实了沟道表面类MoO_(3)缺陷的形成。最后,研究了经等离子体处理的晶体管的湿度传感特性,由于氧等离子体处理使得沟道对水分子的吸收中心增加,在潮湿环境下晶体管具有十分灵敏的响应特性,源漏电流值变化了约54%。这项工作不仅提供了一种调控TMD电学性能的简单方法,也展示了低维材料化学传感器的发展潜力。