新型超导材料——干净极限二硼化镁薄膜

近日，以冯庆荣教授为首的研究组成功制备出了具有超高载流能力的干净极限MgB2（二硼化镁）薄膜样品，以及超高上临界场的碳掺杂MgB2薄膜。

二硼化镁多带超导电性研究取得重要进展

物理所闻海虎小组与北京大学物理系庄承钢博十、美国宾州大学郗小星教授合作，测量不同杂质浓度的二硼化擘薄膜的磁阻和Hall效应。他们在纯净的二硼化镁薄膜上面观察到强的磁阻效应（100％at9T，45K），对应着有明碰的非线性Hall效应。

北京大学研制出新型超导材料

日前从北京大学物理学院获悉，以冯庆荣教授为首的研究组成功制备出了具有超高载流能力的干净极限二硼化镁薄膜样品，以及超高上临界场的碳掺杂二硼化镁薄膜。

利用电泳法在金属基底上制备MgB_2超导厚膜

利用电泳技术在高熔点金属基底Ta,Mo和W上制备MgB2 超导厚膜 .厚膜中的MgB2 晶粒结合紧密 ,粒度小于1μm ,呈随机取向生长 .电阻测量表明沉积在Ta ,Mo,W上的MgB2 厚膜的超导起始转变温度分别为 3 6.5K ,3 4.8K ,3 3 .4K ,对应的转变宽度为 0 .3K ,1.5K和 2 .0K .三种基底上制备的MgB2 厚膜的临界电流密度在不同温度下随外磁场的变化情况基本相同 ,MgB2 Mo厚膜的临界电流密度在 5K ,1T时可达 1.2× 10 5A cm2 .本工艺可以随意控制膜的厚度、形状、大小 ,也可进行双面沉积 ,且制备出的MgB2 厚膜的超导性能优良 ,为MgB2