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面向集成电路先进制程的二维信息材料与器件
1
作者
高鸿钧
张跃
+6 位作者
施毅
王欣然
于志浩
施阁
唐华
何杰
刘克
《中国科学基金》
CSCD
北大核心
2024年第4期612-621,共10页
随着集成电路技术的发展至3 nm节点,摩尔定律接近其物理极限,传统芯片制程面临材料到器件的理论和技术瓶颈。二维信息材料凭借原子层厚度、低功耗等特性被产业界认为是1 nm及以下节点的核心材料,将助力芯片制程延续摩尔定律以及平面到...
随着集成电路技术的发展至3 nm节点,摩尔定律接近其物理极限,传统芯片制程面临材料到器件的理论和技术瓶颈。二维信息材料凭借原子层厚度、低功耗等特性被产业界认为是1 nm及以下节点的核心材料,将助力芯片制程延续摩尔定律以及平面到三维的发展,与我国集成电路先进制程长期规划紧密相关。基于国家自然科学基金委员会第343期双清论坛,本文从材料—器件—异质集成多层次回顾了二维信息材料与器件的发展历史,总结了领域内所面临挑战,凝炼了未来5~10年的重大关键科学以及亟需布局的研究方向,进一步提出顶层设计的前沿研究方向和科学基金资助战略。
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关键词
二维信息材料
器件
集成电路
基础研究
科学问题
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职称材料
题名
面向集成电路先进制程的二维信息材料与器件
1
作者
高鸿钧
张跃
施毅
王欣然
于志浩
施阁
唐华
何杰
刘克
机构
中国科学院物理研究所
北京科技大学前沿交叉科学技术研究院
南京大学电子科学与工程学院
南京邮电大学集成电路学院
国家自然科学基金委员会信息科学部
出处
《中国科学基金》
CSCD
北大核心
2024年第4期612-621,共10页
文摘
随着集成电路技术的发展至3 nm节点,摩尔定律接近其物理极限,传统芯片制程面临材料到器件的理论和技术瓶颈。二维信息材料凭借原子层厚度、低功耗等特性被产业界认为是1 nm及以下节点的核心材料,将助力芯片制程延续摩尔定律以及平面到三维的发展,与我国集成电路先进制程长期规划紧密相关。基于国家自然科学基金委员会第343期双清论坛,本文从材料—器件—异质集成多层次回顾了二维信息材料与器件的发展历史,总结了领域内所面临挑战,凝炼了未来5~10年的重大关键科学以及亟需布局的研究方向,进一步提出顶层设计的前沿研究方向和科学基金资助战略。
关键词
二维信息材料
器件
集成电路
基础研究
科学问题
Keywords
two-dimensional information materials
devices
integrated circuits
fundamental research
scientific issues
分类号
TN40 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
面向集成电路先进制程的二维信息材料与器件
高鸿钧
张跃
施毅
王欣然
于志浩
施阁
唐华
何杰
刘克
《中国科学基金》
CSCD
北大核心
2024
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