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基于Talbot效应的掺镁铌酸锂二维六角位相阵列光栅的研究 被引量:8
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作者 范天伟 陈云琳 张进宏 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第9期249-254,共6页
本文系统研究了基于泰伯效应(Talbot)的位相可调掺镁铌酸锂二维六角位相阵列光栅及其光衍射成像,对光栅占空比 D、不同位相差φ、及泰伯分数β条件下的光栅近场光衍射强度分布进行了理论研究, 结果表明当光栅占空比 D = 52%、位相差φ =... 本文系统研究了基于泰伯效应(Talbot)的位相可调掺镁铌酸锂二维六角位相阵列光栅及其光衍射成像,对光栅占空比 D、不同位相差φ、及泰伯分数β条件下的光栅近场光衍射强度分布进行了理论研究, 结果表明当光栅占空比 D = 52%、位相差φ = 0.75 π、泰伯分数β = 0.2 时, 光栅近场衍射光图像效果最佳. 实验设计与制备了掺镁铌酸锂二维六角位相阵列光栅,并对其进行了Talbot衍射光成像实验研究,得到了不同位相差和不同泰伯分数β条件下光栅近场衍射光图像,实验结果与理论研究结果相符. 展开更多
关键词 二维六角位相阵列光栅 掺镁铌酸锂晶体 泰伯效应
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外加电场调制二维六角位相阵列光分束器的研究 被引量:3
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作者 李建光 陈云琳 张进宏 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第12期290-295,共6页
本文建立了外加电场调制二维六角位相阵列光分束器的倒格矢理论模型,利用数值模拟方法开展了阵列光分束器的理论研究,对可调位相差阵列光分束器进行了分析,得到了不同分数泰伯距离以及外加电场条件下的光强分布图.实验设计与制备了铌酸... 本文建立了外加电场调制二维六角位相阵列光分束器的倒格矢理论模型,利用数值模拟方法开展了阵列光分束器的理论研究,对可调位相差阵列光分束器进行了分析,得到了不同分数泰伯距离以及外加电场条件下的光强分布图.实验设计与制备了铌酸锂二维六角位相阵列光分束器,并对其进行了Talbot衍射光分束实验研究,当外加电压为0.5 kV(电场为1 kV/mm)时,观测到了Talbot衍射光分束现象,随着外加调制电场的增大,其衍射光分束图像越清晰,该实验结果和理论研究结果相符. 展开更多
关键词 外加电场调制 二维六角位相阵列 光分束器
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