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二维半导体材料纳米电子器件和光电器件
被引量:
28
1
作者
王根旺
侯超剑
+2 位作者
龙昊天
杨立军
王扬
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2019年第12期1319-1340,共22页
近年来,随着各领域对微电子器件集成度及性能要求的不断提高,发展基于二维半导体材料的新型高性能功能性器件成为了突破当前技术瓶颈的重要环节和关键方向。目前,作为新型二维半导体材料的代表,二维过渡金属二硫化物、二维黑磷以及范德...
近年来,随着各领域对微电子器件集成度及性能要求的不断提高,发展基于二维半导体材料的新型高性能功能性器件成为了突破当前技术瓶颈的重要环节和关键方向。目前,作为新型二维半导体材料的代表,二维过渡金属二硫化物、二维黑磷以及范德瓦尔斯异质结凭借其在电学、热学、机械、光学等方面的优异性能已经成为了发展高性能纳米电子器件和光电器件的最具潜力的材料之一。在本综述中,首先概述了几种用于纳米器件的常见二维材料,分析了材料的结构、性能及其在纳米器件中的应用,其次重点对基于过渡金属二硫化物、黑磷以及由其衍生的范德瓦尔斯异质结的纳米电子器件和光电器件的最新研究进展进行讨论,最后对目前二维半导体纳米器件所面临的挑战以及未来的发展方向进行总结及分析,从而为未来发展高性能功能性纳米器件提供支持。
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关键词
二维半导体纳米材料
过渡金属
二
硫化物
黑磷
范德瓦尔斯异质结
纳米
电子器件
纳米
光电器件
下载PDF
职称材料
题名
二维半导体材料纳米电子器件和光电器件
被引量:
28
1
作者
王根旺
侯超剑
龙昊天
杨立军
王扬
机构
哈尔滨工业大学
哈尔滨工业大学机电工程学院
出处
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2019年第12期1319-1340,共22页
基金
国家重点研发计划(2017YFB1104900)
国家自然科学基金(61773275)资助项目~~
文摘
近年来,随着各领域对微电子器件集成度及性能要求的不断提高,发展基于二维半导体材料的新型高性能功能性器件成为了突破当前技术瓶颈的重要环节和关键方向。目前,作为新型二维半导体材料的代表,二维过渡金属二硫化物、二维黑磷以及范德瓦尔斯异质结凭借其在电学、热学、机械、光学等方面的优异性能已经成为了发展高性能纳米电子器件和光电器件的最具潜力的材料之一。在本综述中,首先概述了几种用于纳米器件的常见二维材料,分析了材料的结构、性能及其在纳米器件中的应用,其次重点对基于过渡金属二硫化物、黑磷以及由其衍生的范德瓦尔斯异质结的纳米电子器件和光电器件的最新研究进展进行讨论,最后对目前二维半导体纳米器件所面临的挑战以及未来的发展方向进行总结及分析,从而为未来发展高性能功能性纳米器件提供支持。
关键词
二维半导体纳米材料
过渡金属
二
硫化物
黑磷
范德瓦尔斯异质结
纳米
电子器件
纳米
光电器件
Keywords
Two-dimensional semiconductor materials
Transition-metal dichalcogenide
Black phosphorus
Van der Waals Heterostructure
Nano-electronic device
Nano-optoelectronic device
分类号
O649 [理学—物理化学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
二维半导体材料纳米电子器件和光电器件
王根旺
侯超剑
龙昊天
杨立军
王扬
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2019
28
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职称材料
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