二维器件模拟软件PISCES的程序转换

为了研究半导体器件特性 ,对器件特性模拟软件PISCES需要不断进行改进。由于PISCES的源程序是用Fortran语言写的 ,而且前程序设计普遍使用C语言 ,因此我们将其源程序由Fortran语言转化成了C语言。整个程序编译联接成功 ,全面功能运行正确。本文结合实际的转化过程 。

基于传统的CMOS工艺延伸漏极NMOS功率管研究

延伸漏极N型MOS(EDNMOS)是基于传统低成本CMOS工艺设计制造,用N-well作为NMOS漏极漂移区,以提高其击穿电压。用二维器件模拟软件Medici[1]对该器件进行模拟分析,结果表明有效地提高了NMOS管击穿电压。实验结果表明采用这种结构能使低压CMOS工艺输出功率管耐压提高到电源电压的2.5倍,样管在5 V栅压下输出的电流可达到750 mA。作为开关管工作,对于1 000 pF容性负载,其工作电流在550 mA时,工作频率可达500 KHz。