失配性质对二维失配铝膜结构及位错形成的影响

采用三维分子动力学模拟方法,使用Ercolessi和Adams建立的嵌入原子法(EAM)多体势函数,模拟了二维失配铝膜晶体中失配位错的形成过程,研究了失配性质对二维失配铝膜结构及其形核机制的影响.结果显示:同等条件下,负失配度的临界厚度小于正失配度情况;负失配度较易出现失配位错;负失配度下位错的形成始于表层一个倒三角锥形的间隙原子团;正失配度下位错的形成始于表层原子的畸变区;结构稳定后,负失配度体系在表层挤出局部原子层;正失配度体系会出现塌陷.

异质薄膜外延生长中温度对失配位错出现厚度的影响

采用三维分子动力学模拟方法,使用Ercolessi和Adams建立的嵌入原子法(EAM)多体势函数,模拟了二维晶格失配铝膜晶体中失配位错的形成过程,通过体系结构和能量曲线两种方法研究了温度对位错出现厚度的影响.结果显示:温度对于失配位错的形成有影响.同等条件下,随着温度的升高,失配位错的出现厚度变薄.