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二维手性层结构的无机-有机杂化磷酸镓(1,10-phen)Ga_2(HPO_4)_2F_2(H_2O)的水热合成与表征 被引量:2
1
作者 杨玉林 牟忠诚 +4 位作者 王伟 叶玲 陈超 伊卓 庞文琴 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期793-796,共4页
在水热体系中 ,制备了二维手性层结构的 ( 1 ,1 0 -phen) Ga2 ( HPO4 ) 2 F2 ( H2 O)无机 -有机杂化磷酸镓化合物 (简称 JGP-7) .用 X射线粉末衍射、元素分析、诱导耦合等离子体、红外光谱、热重分析和 X射线单晶衍射对其进行了表征 .... 在水热体系中 ,制备了二维手性层结构的 ( 1 ,1 0 -phen) Ga2 ( HPO4 ) 2 F2 ( H2 O)无机 -有机杂化磷酸镓化合物 (简称 JGP-7) .用 X射线粉末衍射、元素分析、诱导耦合等离子体、红外光谱、热重分析和 X射线单晶衍射对其进行了表征 .单晶结构分析表明 ,该化合物属单斜晶系 ,P2 1 /c空间群 ,晶胞参数 a=0 .760 4( 1 ) nm,b=2 .1 691 ( 4) nm,c=0 .995 2 ( 2 ) nm,β=99.93 ( 3 )°,V=1 .61 93 ( 3 ) nm3,μ=3 .60 7mm- 1 ,Z=4,F( 0 0 0 ) =1 1 2 0 ,R1 =0 .0 3 75 ,w R2 =0 .0 5 69,GOF=0 .986.JGP-7的骨架由四元环组成的 Ga( 1 ) -P( 1 ,2 ) -O一维链与 Ga( 2 ) 2 F4 ( H2 O) 2 二聚体通过共用桥 O原子构成具有 4-,1 0 -元环的层状结构 ,无机层状结构间呈现手性对映 .这个无机层通过 1 ,1 0 -邻菲罗林配体相互作用形成的 π-π堆积扩展为三维超分子结构 . 展开更多
关键词 手性结构 无机-有机杂化磷酸镓化合物 水热合成 表征 晶体结构 1 10-邻菲罗林 复合材料
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3,5-二(2-吡嗪基)-4-氨基-1,2,4-三唑的水热合成及晶体结构 被引量:1
2
作者 彭梦侠 陈梓云 《化学研究与应用》 CAS CSCD 北大核心 2009年第2期203-206,共4页
3,5-di(2-pyrazinyl)-4-amino-1,2,4-triazole(II) was synthesized through hydrothermal reaction,and the crystal structure was determined by X-ray crystallography.Crystalline was assigned into triclinic system with space ... 3,5-di(2-pyrazinyl)-4-amino-1,2,4-triazole(II) was synthesized through hydrothermal reaction,and the crystal structure was determined by X-ray crystallography.Crystalline was assigned into triclinic system with space group P-1,lattice parameters a=0.62527(2) nm,b=0.6807(2) nm,c=1.2792(4) nm,α=85.833(5)o,β=80.517(5)o,γ=72.405(5)°,V=0.5118(3) nm3,and Z=2.Intermolecular hydrogen bonds extend the molecules of compound(II) into a 2D supramolecular layer.CCDC:666956. 展开更多
关键词 3 5-(2-吡嗪基)-4-氨基-1 2 4-三唑 水热合成 晶体结构 二维层结构
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单层与双层WSe2纳米片层的光致发光 被引量:1
3
作者 杜晓雷 吕燕伍 江潮 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期513-518,共6页
采用气相沉积法制备了WSe2二维纳米材料,对其低温光致发光谱进行了研究。结果表明:随着WSe2层数的增加,其光致发光强度单调下降;当WSe2层数从单层增加为双层时,其发光强度急剧下降,表明其能带结构已从直接带隙转变为间接带隙。进一步研... 采用气相沉积法制备了WSe2二维纳米材料,对其低温光致发光谱进行了研究。结果表明:随着WSe2层数的增加,其光致发光强度单调下降;当WSe2层数从单层增加为双层时,其发光强度急剧下降,表明其能带结构已从直接带隙转变为间接带隙。进一步研究了双层WSe2的变温光致发光谱,发现随着温度的升高,双层WSe2发光峰中A峰峰位的变化基本符合半导体带隙的温度变化规律,而I峰峰位红移与温度基本成线性关系,表明双层WSe2同时存在间接和直接跃迁,且直接跃迁和间接跃迁特性不同。 展开更多
关键词 纳米片结构 WSe2 光致发光谱 光谱红移
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