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基于液相法二维异质结的空间结构可控制备(英文) 被引量:4
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作者 刘强 王晓珊 +1 位作者 王加亮 黄晓 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2019年第10期1099-1111,共13页
近年来,二维材料异质结构的兴起进一步促进了二维材料领域的发展。在异质结构中,不同组分的界面作用或耦合效应会产生有趣的现象和特殊的性质。目前发现除材料组分外,空间结构也是影响异质结构总体性质的重要因素。尽管诸如干法转移和... 近年来,二维材料异质结构的兴起进一步促进了二维材料领域的发展。在异质结构中,不同组分的界面作用或耦合效应会产生有趣的现象和特殊的性质。目前发现除材料组分外,空间结构也是影响异质结构总体性质的重要因素。尽管诸如干法转移和气相生长的固相法能够将原始或高度结晶的二维晶体制备出空间可控的异质结构,但是它们在很大程度上受限于低产率和高成本的缺点。相比之下,液相法虽然产物质量相对较低,但更适用于大规模生产功能性异质结构。然而,如何对组分的三维空间布局进行精确控制仍是目前液相法亟待解决的问题。在这篇综述中,我们介绍了通过湿化学法制备二维异质结构的最新进展,聚焦于对二维异质结构空间布局的控制。在本文的末尾,我们还讨论了此领域面临的挑战和潜在的机遇。 展开更多
关键词 二维异质结构 液相合成 空间排列 横向异质 垂直异质
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微波功率AlGaN/GaN HFET的二维能带和异质结构设计 被引量:4
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作者 薛舫时 《中国电子科学研究院学报》 2007年第5期456-463,共8页
在综述微波功率AlGaN/GaN HFET技术发展趋势基础上,提出了二维异质结能带优化设计的新课题。从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发研究了利用异质界面上的极化电荷来剪裁异质结能带。用极化电荷设计近矩形前势垒能增大高能热电子的隧穿... 在综述微波功率AlGaN/GaN HFET技术发展趋势基础上,提出了二维异质结能带优化设计的新课题。从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发研究了利用异质界面上的极化电荷来剪裁异质结能带。用极化电荷设计近矩形前势垒能增大高能热电子的隧穿势垒宽度,抑制电流崩塌。背势垒中的极化电荷强化了沟道阱的量子限制,减弱了沟道中的强场峰,能提高击穿电压和抑制电流崩塌。薄势垒层中的极化电荷强化了沟道阱的结构,降低势垒高度后能产生高密度的电子气。优化设计二维异质结构能抑制沟道中的强场峰和电流崩塌,提高击穿电压和大漏压下的输出功率。 展开更多
关键词 二维异质结构 HFET沟道中的强场峰 能带剪裁 极化电荷 电流崩塌
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二维/一维BiOBr_(0.5)Cl_(0.5)/WO_(3)S型异质结助力光催化CO_(2)还原 被引量:9
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作者 朱弼辰 洪小洋 +2 位作者 唐丽永 刘芹芹 唐华 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2022年第7期45-55,共11页
S型异质结不但可以提高载流子的分离效率,还可以维持较强的氧化还原能力。因此,构建S型异质是提高光催化二氧化碳还原反应的有效途径。本研究通过静电自组装法构建了具有近红外光响应(>780 nm)的二维BiOBr_(0.5)Cl(0.5)纳米片和一维W... S型异质结不但可以提高载流子的分离效率,还可以维持较强的氧化还原能力。因此,构建S型异质是提高光催化二氧化碳还原反应的有效途径。本研究通过静电自组装法构建了具有近红外光响应(>780 nm)的二维BiOBr_(0.5)Cl(0.5)纳米片和一维WO_(3)纳米棒S型异质结光催化剂,并用于高效还原二氧化碳。能带位置和界面电子相互作用的综合分析表明:在光催化二氧化碳还原反应过程中,BiOBr_(0.5)Cl(0.5)/WO_(3)遵循S型电子转移路径;不仅提高了载流子的高效分离,还维持了两相(BiOBr_(0.5)Cl(0.5)和WO_(3))较高的氧化还原能力。此外,二维纳米片/一维纳米棒的结构使得半导体之间具备良好的界面接触,有利于载流子的分离,且暴露更多的活性位点,最终提高催化效率。结果显示,BiOBr_(0.5)Cl(0.5)/WO_(3)异质结催化剂表现出较高的CO_(2)还原能力和CO选择性,CO的产率高达16.68μmol∙g^(−1)∙h^(−1),分别是BiOBr_(0.5)Cl(0.5)的1.7倍和WO_(3)的9.8倍。本工作为构建S型二维/一维异质结光催化剂高效还原二氧化碳提供了新的思路。 展开更多
关键词 /一异质结构 BiOBr_(0.5)Cl(0.5)纳米片 WO3纳米棒 氧化碳还原 S型异质
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二维MoS_(2)/WSe_(2)异质结的光电性能研究 被引量:2
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作者 皇甫路遥 戴梦德 +2 位作者 南海燕 顾晓峰 肖少庆 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2021年第11期2075-2080,共6页
近年来基于二维半导体过渡金属硫族化合物如MoS_(2)的光电晶体管被广泛研究。虽然基于单层MoS_(2)的光电探测器表现出较高的响应度,但是其较低的载流子迁移率也限制了响应时间,约在秒量级。二维半导体的相互堆垛可以形成具有低缺陷态且... 近年来基于二维半导体过渡金属硫族化合物如MoS_(2)的光电晶体管被广泛研究。虽然基于单层MoS_(2)的光电探测器表现出较高的响应度,但是其较低的载流子迁移率也限制了响应时间,约在秒量级。二维半导体的相互堆垛可以形成具有低缺陷态且空间均匀的范德华异质结构,是提高二维光电探测器性能的有效途径。基于此本文通过机械剥离转移法构筑MoS_(2)/WSe_(2)垂直pn异质结,其较强的空间电荷区能有效地分离光生载流子,所以在自驱动状态下仍具有较好的光电探测能力,光响应度和探测率分别达到2.12×10^(3) A/W和2.33×10^(11) Jones,同时极大地缩短了响应时间,响应时间达到40 ms。这种二维异质结器件制备方法简易,性能优异,在光电子领域具有广阔的应用前景。 展开更多
关键词 MoS_(2)/WSe_(2) PN结 机械剥离转移法 范德华异质结构 光电探测器 过渡金属硫族化合物
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GaN HFET研究中的钝化、场板和异质结构设计 被引量:1
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作者 薛舫时 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2009年第4期193-200,253,共9页
从AlGaN/GaN沟道阱电子状态出发,深入研究了GaNHFET研究中的钝化和场板电极。提出了用低、高Al组分比势垒制成复合势垒,来抬高势垒和增大势垒宽度,强化沟道阱的量子限制。强调了负极化电荷在强化沟道阱量子限制和能带剪裁中的重要作用... 从AlGaN/GaN沟道阱电子状态出发,深入研究了GaNHFET研究中的钝化和场板电极。提出了用低、高Al组分比势垒制成复合势垒,来抬高势垒和增大势垒宽度,强化沟道阱的量子限制。强调了负极化电荷在强化沟道阱量子限制和能带剪裁中的重要作用。依据内沟道、外沟道和欧姆接触对势垒的不同要求设计出二维异质结构。通过特殊的异质结构设计和后工艺剪裁制成了满足肖特基势垒和欧姆接触的两种不同的异质结构。把优质Si3N4钝化膜同复合势垒结合起来塑造出满足外沟道要求的异质结构,从而实现了HFET二维异质结构的优化设计。证实了这种新沟道阱中的电子在三种不同栅压下的强二维特性,强调了背场板和背势垒在器件研究中的重要作用。 展开更多
关键词 GAN HFET的钝化 场板效应 极化工程 二维异质结构 背场板 背势垒
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基于MXene-Si异质结光电探测器及其界面优化策略研究
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作者 刘骁 李斯腾 +2 位作者 胡健知 宋嘉俸 丁英涛 《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第11期1208-1214,共7页
针对二维(2D)/三维(3D)异质结光电探测器中,由无序界面状态引起的暗电流增大问题,提出了一种将MXene原位氧化为TiO_(2)的界面性能优化策略.通过氧等离子体处理MXene,制备了MXene/TiO_(2)/Si垂直异质结构,其中MXene作为透明电极,与n型Si... 针对二维(2D)/三维(3D)异质结光电探测器中,由无序界面状态引起的暗电流增大问题,提出了一种将MXene原位氧化为TiO_(2)的界面性能优化策略.通过氧等离子体处理MXene,制备了MXene/TiO_(2)/Si垂直异质结构,其中MXene作为透明电极,与n型Si形成肖特基接触,利用内建电场促进光生载流子的抽取与分离.利用截面元素表征与能带对齐理论对该异质结构进行分析,证明原位氧化引入TiO_(2)阻挡层,优化了MXene与Si的界面性能.测试结果表明,优化后光电探测器件暗电流降低了一个数量级,实现了470 nm波长光照下响应时间0.72 ms和光响应度高达524.8mA/W. 展开更多
关键词 /三异质结构 MXene 光电探测器 界面策略
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AlInN三明治势垒GaN HFET 被引量:1
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作者 薛舫时 孔月婵 +3 位作者 董逊 周建军 李忠辉 陈辰 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期421-428,472,共9页
介绍了国际上AlInN势垒HFET的最新发展。从器件性能分析中发现这种新势垒显著提高了沟道电子气密度,增大了强场漂移速度,消除应变提高了器件可靠性和热稳定性,能在高温下有效工作,使GaN HFET研究走上新的台阶。但是薄势垒引起的大栅流... 介绍了国际上AlInN势垒HFET的最新发展。从器件性能分析中发现这种新势垒显著提高了沟道电子气密度,增大了强场漂移速度,消除应变提高了器件可靠性和热稳定性,能在高温下有效工作,使GaN HFET研究走上新的台阶。但是薄势垒引起的大栅流和电流崩塌是阻碍器件性能提高和实际应用的主要瓶颈。利用AlInN/AlGaN异质界面的大能带带阶和强极化电荷来剪裁能带,设计出新的三明治势垒,满足内、外沟道和欧姆接触势垒的要求。可望消除上述瓶颈,使AlInN势垒GaN HFET付诸实用。 展开更多
关键词 铝铟氮/氮化镓异质结场效应管 铝铟氮三明治势垒 栅流 电流崩塌 二维异质结构
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GaN HFET的综合设计 被引量:1
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作者 薛舫时 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期473-479,共7页
从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发,研究了负极化电荷在强化沟道阱量子限制和能带剪裁中的作用。优化设计负极化电荷的位置后给出了新的复合势垒设计。提出了新的动态电流崩塌模型和二维异质结构概念,把原位Si3N4钝化和复合势垒结合... 从自洽求解薛定谔方程和泊松方程出发,研究了负极化电荷在强化沟道阱量子限制和能带剪裁中的作用。优化设计负极化电荷的位置后给出了新的复合势垒设计。提出了新的动态电流崩塌模型和二维异质结构概念,把原位Si3N4钝化和复合势垒结合起来实现二维异质结构。用AlGaN/AlInN复合势垒解决了AlInNHFET中的欧姆接触电阻大和沟道不易夹断两大难题。通过能带剪裁和二维异质结构设计完成了包含钝化、场板电极、挖槽、薄势垒欧姆接触、GaN帽层和AlN插入层等方案优点的新综合设计。 展开更多
关键词 氮化镓异质结场效应管 铝镓氮/铝铟氮复合势垒 能带剪裁 动态电流崩塌模型 二维异质结构 综合设计
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原位钝化和催化剂钝化沟道阱能带计算
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作者 薛舫时 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第4期319-327,共9页
把Si3N4/AlGaN界面看成新的异质结,自洽求解薛定谔方程和泊松方程,建立起原位钝化和CATCVD钝化异质结构的新能带模型。运用这一模型,研究了原位钝化和CATCVD钝化异质结沟道阱的电子气密度、能带结构和输运性能,解释了相应的实验结果。... 把Si3N4/AlGaN界面看成新的异质结,自洽求解薛定谔方程和泊松方程,建立起原位钝化和CATCVD钝化异质结构的新能带模型。运用这一模型,研究了原位钝化和CATCVD钝化异质结沟道阱的电子气密度、能带结构和输运性能,解释了相应的实验结果。在此基础上研究了这些新钝化异质结沟道阱能带的优化设计。优化设计的钝化复合势垒沟道阱电子气密度高达3.138×1013cm-2,而且沟道电子保持强量子限制,预期能达到高输运性能。讨论了运用这种钝化沟道阱来设计外沟道和二维异质结构、抑制电流崩塌的新课题。 展开更多
关键词 原位钝化氮化硅 催化剂化学气相淀积氮化硅 氮化硅/半导体异质 铝镓氮/铝铟氮复合势垒 能带剪裁 动态电流崩塌模型 二维异质结构
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Influence of Al Composition on Transport Properties of Two-Dimensional Electron Gas in Al_xGa_(1-x)N/GaN Heterostructures
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作者 唐宁 沈波 +7 位作者 王茂俊 杨志坚 徐科 张国义 桂永胜 朱博 郭少令 褚君浩 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期235-238,共4页
Magnetotransport properties of two-dimensional electron gases (2DEG) in AlxGa1-x N/GaN heterostructures with different Al compositions are investigated by magnetotransport measurements at low temperatures and in hig... Magnetotransport properties of two-dimensional electron gases (2DEG) in AlxGa1-x N/GaN heterostructures with different Al compositions are investigated by magnetotransport measurements at low temperatures and in high magnetic fields. It is found that heterostructures with a lower Al composition in the barrier have lower 2DEG concentration and higher 2DEG mobility. 展开更多
关键词 Alx Ga1-x N/GaN heterostructure two-dimensional electron gas transport property
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Ultrathin Ni(OH)_(2) nanosheets decorated with Zn_(0.5)Cd_(0.5)S nanoparticles as 2D/0D heterojunctions for highly enhanced visible light‐driven photocatalytic hydrogen evolution
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作者 Xueyou Gao Deqian Zeng +5 位作者 Jingren Yang Wee‐Jun Ong Toyohisa Fujita Xianglong He Jieqian Liu Yuezhou Wei 《Chinese Journal of Catalysis》 SCIE EI CAS CSCD 2021年第7期1137-1146,共10页
Designing and fabricating highly efficient photocatalysts for water splitting is a promising strategy to address energy and environmental issues.Cadmium sulfide(CdS)has received significant interest as a photocatalyst... Designing and fabricating highly efficient photocatalysts for water splitting is a promising strategy to address energy and environmental issues.Cadmium sulfide(CdS)has received significant interest as a photocatalyst for visible‐light‐induced hydrogen(H2)generation.However,the severe photocorrosion,high overpotential,rapid charge recombination,and sluggish surface reaction kinetics drastically hinder its practical application in water splitting.Herein,uniform zinc cadmium sulfide(Zn_(0.5)Cd_(0.5)S)nanoparticles were anchored on ultrathin Ni(OH)_(2)nanosheets via a facile solution‐phase approach to form an intimate two‐dimensional(2D)/zero‐dimensional(0D)heterojunction.Under visible light irradiation,the 7%Ni(OH)_(2)/Zn_(0.5)Cd_(0.5)S composite exhibited the highest H2 production rate of 6.87 mmol·h^(–1)·g^(–1)with an apparent quantum yield of 16.8%at 420 nm,which is almost 43 times higher than that of pristine Zn_(0.5)Cd_(0.5)S and considerably higher than that of the Pt/Zn_(0.5)Cd_(0.5)S photocatalyst.The high photoactivity of the 2D/0D Ni(OH)_(2)/Zn_(0.5)Cd_(0.5)S heterojunction can be ascribed to its unique and robust structure,wherein the ultrathin Ni(OH)_(2)nanosheets not only provide an excellent platform for the incorporation of Zn_(0.5)Cd_(0.5)S nanoparticles but also serve as an effective cocatalyst to promote photoinduced electron transfer and offer more active sites for photocatalytic H_(2) generation.This work paves the way toward the development of versatile,low‐cost,and highly efficient 2D/0D heterojunction photocatalysts for solar energy conversion. 展开更多
关键词 Nickel hydroxide nanosheets Zn_(0.5)Cd_(0.5)S nanoparticles COCATALYST 2D/0D nanoheterostructures Photocatalytic H_(2)generation
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Two-dimensional SnO_2/graphene heterostructures for highly reversible electrochemical lithium storage 被引量:9
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作者 Youqi Zhu Tai Cao +4 位作者 Zhi Li Chen Chen Qing Peng Dingsheng Wang Yadong Li 《Science China Materials》 SCIE EI CSCD 2018年第12期1527-1535,共9页
The ever-growing market demands for lithium ion batteries have stimulated numerous research efforts aiming at the exploration of novel electrode materials with higher capacity and long-term cycling stability.Two-dimen... The ever-growing market demands for lithium ion batteries have stimulated numerous research efforts aiming at the exploration of novel electrode materials with higher capacity and long-term cycling stability.Two-dimensional (2D)nanomaterials and their heterostructures are an intense area of study and promise great potential in electrochemical lithium storage owing to their unique properties that result from structural planar confinement.Here we report a microwave chemistry strategy to integrate ultrathin SnO2 nanosheets into graphene layer to construct surface-to-surface 2D heterostructured architectures,which can provide unique structural planar confinement for highly reversible electrochemical lithium storage.The as-synthesized 2D SnO2/graphene heterostructures can exhibit high reversible capacity of 688.5mAh g^-1 over 500cycles with excellent long-term cycling stability and good rate capability when used as anode materials for lithium ion batteries.The present work definitely reveals the advantages of 2D heterostructures featured with a surface-to-surface stack between two different nanosheets in energy storage and conversion devices. 展开更多
关键词 two-dimensional heterostructures GRAPHENE tin oxide microwave chemistry electrochemical lithinm storage
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2D hetero-structures based on transition metal dichalcogenides:fabrication,properties and applications 被引量:5
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作者 Ping Liu Bin Xiang 《Science Bulletin》 SCIE EI CAS CSCD 2017年第16期1148-1161,共14页
Recently,two dimensional transition metal dichalcogenides MX_2(M = Mo,W,etc; X = S,Se,Te) have ignited immense interests because of their unique structural and physical properties for the potential applications in the... Recently,two dimensional transition metal dichalcogenides MX_2(M = Mo,W,etc; X = S,Se,Te) have ignited immense interests because of their unique structural and physical properties for the potential applications in the nano-optoelectronics,valley-spintronics etc. In terms of the structural compatibility and van der Waals interaction,two dimensional(2D) MX_2 layers can be fabricated into various lateral and vertical hetero-structures. The atomically-thin hetero-structures comprising different layered MX_2 provide a new platform for exploring fundamental physics and device technologies with unprecedented phenomenon and extraordinary functionalities. In this review,we report the recent progress about the fabrication,properties and applications of 2D hetero-structures based on transition metal dichalcogenides. 展开更多
关键词 Transition metal dichalcogenides Hetero-structures Chemical vapor deposition Charge transfer Optoelectronic devices
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