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AlGaN/GaN HEMT二维静态模型与模拟(英文)
1
作者
薛丽君
夏洋
+6 位作者
刘明
王燕
邵雪
鲁净
马杰
谢常青
余志平
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第2期298-303,共6页
考虑Al GaN/GaN材料的自发、压电极化效应和量子效应,通过泊松方程、薛定谔方程和流体力学方程组的数值自洽求解方法,对Al GaN/GaN HEMT的二维静态模型与模拟问题进行了研究,得到了器件区域的导带图、二维电子气分布、电子温度特性、直...
考虑Al GaN/GaN材料的自发、压电极化效应和量子效应,通过泊松方程、薛定谔方程和流体力学方程组的数值自洽求解方法,对Al GaN/GaN HEMT的二维静态模型与模拟问题进行了研究,得到了器件区域的导带图、二维电子气分布、电子温度特性、直流输出和转移特性,并对模拟结果进行了分析与讨论.
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关键词
ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管
二维模型与模拟
极化电荷
量子效应
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职称材料
题名
AlGaN/GaN HEMT二维静态模型与模拟(英文)
1
作者
薛丽君
夏洋
刘明
王燕
邵雪
鲁净
马杰
谢常青
余志平
机构
中国科学院微电子研究所
清华大学微电子研究所
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第2期298-303,共6页
基金
国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311907,G200036504)
国家自然科学基金(批准号:60236010)资助项目~~
文摘
考虑Al GaN/GaN材料的自发、压电极化效应和量子效应,通过泊松方程、薛定谔方程和流体力学方程组的数值自洽求解方法,对Al GaN/GaN HEMT的二维静态模型与模拟问题进行了研究,得到了器件区域的导带图、二维电子气分布、电子温度特性、直流输出和转移特性,并对模拟结果进行了分析与讨论.
关键词
ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管
二维模型与模拟
极化电荷
量子效应
Keywords
AIGaN/GaN HEMT
2D modeling and simulation
polarization charges
quantum effects
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
AlGaN/GaN HEMT二维静态模型与模拟(英文)
薛丽君
夏洋
刘明
王燕
邵雪
鲁净
马杰
谢常青
余志平
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
0
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