用线性变换方法计算二维正方晶胞正n边形直柱光子晶体的带隙结构

用线性变换方法推导了二维正方结构正n边形直柱光子晶体的带隙计算公式 .采用线性变换方法可以简单地处理平面波展开方法中ε- 1 (r)的Fourier变换系数 ,使得相应的带隙计算变得简单有效 .在固定填充率f=0 4的情况下 ,计算了砷化镓 (ε=11 4 )材料的正n边形直柱光子晶体带隙结构 .发现随着n的增加 ,光子晶体的对称性相应提高 ,最大带隙的大小出现单调下降趋势 .当n趋向于无穷大的时候 ,计算的正n边形直柱光子晶体的带隙趋向于零 ,与圆柱的情况完全相符 .

二维正方各向异性碲圆柱光子晶体完全禁带中缺陷模的FDTD计算分析和设计

用FDTD方法计算了二维正方晶胞各向异性碲圆柱光子晶体的点缺陷模 .为了得到TE ,TM模式在完全禁带中具有相同共振频率的缺陷模 ,对中心点缺陷半径Rd 以及中心附近对称位置的点缺陷半径Rn 做了一系列微调 .计算表明 ,TM模对于Rn 的变化不敏感 ,而TE模随着Rn 的改变出现了明显的规则的移动趋势 .通过计算分析 ,发现对应于f=0 .4的背景 (R =0 .35 6 8a) ,当Rd=0 .5 5a ,Rn=0 .2 6a时在完全禁带中TE和TM的缺陷模具有相同的共振频率ω0 =0 .2 4 6 6ωe(其中ωe=2πc a ,a为晶格常数 )