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In_(0.5)Ga_(0.5)P/GaAs二维空穴气p沟异质结场效应管
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作者 徐红钢 陈效建 +1 位作者 高建峰 郝西萍 《固体电子学研究与进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期276-280,共5页
提出了一种新颖的 Ga As基 p沟异质结场效应管 (p HFET)概念 ,器件采用了 In0 .5Ga0 .5P/ Ga As异质系统及二维空穴气 (2 DHG)原理以改善 Ga As的空穴输运特性。据此原理研制的器件可在室温下工作 ,其实验结果为 :室温下 ,饱和电流 Idss... 提出了一种新颖的 Ga As基 p沟异质结场效应管 (p HFET)概念 ,器件采用了 In0 .5Ga0 .5P/ Ga As异质系统及二维空穴气 (2 DHG)原理以改善 Ga As的空穴输运特性。据此原理研制的器件可在室温下工作 ,其实验结果为 :室温下 ,饱和电流 Idss=6 1m A/ mm,跨导 gm=4 1m S/ mm;77K下 ,饱和电流 Idss=94 m A/ mm,跨导 gm=6 1m S/ mm。预计该器件在微波和数字电路中极佳的电流密度及高频增益 ,因而具有良好的应用潜力。 展开更多
关键词 铟镓磷/砷化镓 二维空穴气 p沟异质结场效应晶体管
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超高二维空穴气迁移率
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作者 未休 《电子材料快报》 1995年第1期4-5,共2页
关键词 SIGE 二维空穴气 晶体生长 迁移率
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p型GaN/Al_(0·35)Ga_(0·65)N/GaN应变量子阱中二维空穴气的研究 被引量:2
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作者 游达 许金通 +3 位作者 汤英文 何政 徐运华 龚海梅 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第12期6600-6605,共6页
对Ga面p型GaN/Al0·35Ga0·65N/GaN应变异质结构中形成的二维空穴气(2DHG)进行了研究.首先基于半导体-绝缘体-半导体异质结构模型确定了应变异质中的临界厚度,然后自洽求解薛定谔方程和泊松方程,计算了当中间势垒层AlGaN处于完... 对Ga面p型GaN/Al0·35Ga0·65N/GaN应变异质结构中形成的二维空穴气(2DHG)进行了研究.首先基于半导体-绝缘体-半导体异质结构模型确定了应变异质中的临界厚度,然后自洽求解薛定谔方程和泊松方程,计算了当中间势垒层AlGaN处于完全应变状态和半应变状态两种条件下,顶层GaN及中间层AlGaN厚度的变化对2DHG分布的影响.计算结果表明,势垒层AlGaN和顶层GaN的应变状态和厚度对极化引起的2DHG面密度及分布有重要影响.在此基础上制备了p型GaN/Al0·35Ga0·65N/GaN应变量子阱结构肖特基器件,并通过器件的C-V测试证实了异质结处2DHG的存在.器件响应光谱的测试结果表明,由于p型GaN/Al0·35Ga0·65N/GaN量子阱中强烈的极化作用和Stark效应使得器件零偏压和反向偏压时的响应光谱都向短波方向移动了10nm,在零偏压下器件在280nm处的峰值响应为0·022A/W,在反向偏压为1V时,峰值响应达到0·19A/W,已经接近理论值. 展开更多
关键词 ALGAN 二维空穴气 极化效应
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p-GaN/p-AlxGa1-xN异质结界面处二维空穴气的性质及其对欧姆接触的影响 被引量:2
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作者 王晓勇 种明 +1 位作者 赵德刚 苏艳梅 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第21期405-410,共6页
通过自洽求解一维泊松方程和薛定谔方程,得到了p-GaN/p-Al_xGa_(1-x)N异质结界面处的价带结构和二维空穴气(2DHG)分布,研究了A1组分和压电极化效应对界面处2DHG性质的影响,给出了异质界面处2DHG的面密度、浓度分布以及价带结构.实验结... 通过自洽求解一维泊松方程和薛定谔方程,得到了p-GaN/p-Al_xGa_(1-x)N异质结界面处的价带结构和二维空穴气(2DHG)分布,研究了A1组分和压电极化效应对界面处2DHG性质的影响,给出了异质界面处2DHG的面密度、浓度分布以及价带结构.实验结果表明:随着Al组分的增加,异质结界面处势阱明显加深变窄,这使得2DHG的峰值密度加速上升,也使得面空穴密度近直线上升;压电极化效应也明显使界面处势阱加深变窄,并且使费米能级向势垒顶端移动,峰值浓度的位置向界面处移动;另外,价带带阶高度和受主杂质浓度对2DHG的影响较小.利用这层2DHG制作的p-Al_xGa_(1-x)N的欧姆接触,电流电压特性明显好于直接制作的电极,说明了2DHG可以显著改善p-Al_xGa_(1-x)N的欧姆接触性能. 展开更多
关键词 p-AlGaN 压电极化 二维空穴气 欧姆接触
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终端金刚石能带结构与物理性能的研究进展
5
作者 乔鹏飞 刘康 +4 位作者 代兵 刘本建 张森 张晓晖 朱嘉琦 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第6期945-959,共15页
5G通信、能源互联网、新能源汽车、量子技术等高精尖领域对半导体的性能提出了新的更高的要求。第四代半导体金刚石因具有优异的物理化学性能被誉为“终极半导体”,被认为是制备下一代高功率、高频、高温及低功率损耗电子器件最理想的... 5G通信、能源互联网、新能源汽车、量子技术等高精尖领域对半导体的性能提出了新的更高的要求。第四代半导体金刚石因具有优异的物理化学性能被誉为“终极半导体”,被认为是制备下一代高功率、高频、高温及低功率损耗电子器件最理想的材料。而浅n型掺杂的技术瓶颈一定程度阻碍了金刚石半导体应用的发展。表面终端研究为金刚石功能化的发展提供了新的策略,金刚石通过表面终端实现了场效应晶体管、肖特基二极管、日盲紫外探测器、电子发射器件和近表面色心调控等重要应用,而表面终端发挥作用的机理与其能带结构特点密不可分。本文综述了几种常见终端的能带研究方法,分析其能带的结构特点,结合特点介绍其发挥作用的机理,并进行了总结和展望。 展开更多
关键词 金刚石 表面终端 能带结构 二维空穴气 肖特基结 紫外探测
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p-GaN/Al_(0.35)Ga_(0.65)N/GaN应变量子阱肖特基紫外探测器 被引量:1
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作者 游达 许金通 +3 位作者 汤英文 何政 徐运华 龚海梅 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第10期1861-1865,共5页
报道了p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN应变量子阱结构的肖特基紫外探测器的制备及性能.器件的测试结果表明,在p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN双异质结中强烈的压电极化和Stark效应共同作用下使得器件在正偏和反偏时的响应光谱都向短波方向移动了10nm... 报道了p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN应变量子阱结构的肖特基紫外探测器的制备及性能.器件的测试结果表明,在p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN双异质结中强烈的压电极化和Stark效应共同作用下使得器件在正偏和反偏时的响应光谱都向短波方向移动了10nm.零偏下器件在280nm时的峰值响应为0·022A/W,在反向偏压为1V时,峰值响应增加到0·19A/W,接近理论值.在正向偏压下器件则呈平带状态,并在283和355nm处分别出现了两个小峰.在考虑极化的情况下,通过器件中载流子浓度分布的变化解释了器件在不同偏压下的响应特性,发现p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN中的极化效应对器件的响应特性影响很大,通过改变偏压和适当的优化设计可以使探测器在紫外波段进行选择性吸收. 展开更多
关键词 ALGAN 二维空穴气 肖特基 极化效应
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p型半导体量子阱的有效计算方法
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作者 薛舫时 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期427-431,436,共6页
提出一种p型半导体量子阱中二维空穴气的有效计算方法。它使用半轴向近似把Luttinger哈密顿简约成3*3矩阵,而仍保留价带的扭曲性和重空穴、轻空穴和自旋-轨道耦合带间的能带混合。使用这种方法和简化的有限差分算出了p型半导体量子阱的... 提出一种p型半导体量子阱中二维空穴气的有效计算方法。它使用半轴向近似把Luttinger哈密顿简约成3*3矩阵,而仍保留价带的扭曲性和重空穴、轻空穴和自旋-轨道耦合带间的能带混合。使用这种方法和简化的有限差分算出了p型半导体量子阱的价带结构和二维空穴气。研究了量子阱中的价带混合、能带扭曲和阱间空穴气的耦合。该方法计算量少,计算结果满足价带特性,适用于p型异质结器件的优化设计。 展开更多
关键词 二维空穴气 p型量子阱 量子限制 能带混合
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超宽禁带半导体金刚石功率电子学研究的新进展(续) 被引量:1
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作者 赵正平 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第2期81-103,共23页
3功率晶体管与逻辑电路金刚石晶体管在功率电子学和微波电子学两大领域均有进展。在功率电子学领域向高击穿电压、高击穿场强、高温工作、低导通电阻、高开关速率和常关器件的方向发展。金刚石晶体管以各类FET为主,包括金属半导体场效... 3功率晶体管与逻辑电路金刚石晶体管在功率电子学和微波电子学两大领域均有进展。在功率电子学领域向高击穿电压、高击穿场强、高温工作、低导通电阻、高开关速率和常关器件的方向发展。金刚石晶体管以各类FET为主,包括金属半导体场效应晶体管(MESFET)、MOSFET和JFET等,其沟道有两种:金刚石氢终端表面二维空穴气和p型掺杂层。 展开更多
关键词 金属半导体场效应晶体管 功率电子学 宽禁带半导体 功率晶体管 二维空穴气 低导通电阻 微波电子学 逻辑电路
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InSb MIS结构的磁电容谱研究
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作者 吴良津 刘坤 褚君浩 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第1期7-10,共4页
测量了n型InSb金属-绝缘体—半导体(MIS)器件的磁量子电容谱,发现p型沟道中二维空穴子带对磁场有很大的依赖关系。
关键词 二维空穴气 磁电容谱 MIS器件 红外器件
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Anomalous Hall Effect in Spin-Polarized Two-Dimensional Hole Gas with Cubic-Rashbsa Spin-Orbit Interaction
10
作者 任莉 宓一鸣 《Communications in Theoretical Physics》 SCIE CAS CSCD 2010年第9期559-562,共4页
Based on the Kubo formalism,the anomalous Hall effect in a magnetic two-dimensional hole gas withcubic-Rashba spin-orbit coupling is studied in the presence of 5-function scattering potential.When the weak,short-range... Based on the Kubo formalism,the anomalous Hall effect in a magnetic two-dimensional hole gas withcubic-Rashba spin-orbit coupling is studied in the presence of 5-function scattering potential.When the weak,short-rangeddisorder scattering is considered in the Born approximation,we find that the self-energy becomes diagonal inthe helicity basis and its value is independent of the wave number,and the vertex correction to the anomalous Hallconductivity due to impurity scattering vanishes when both subbands are occupied.That is to say,the anomalous Halleffect is not vanishing or influenced by the vertex correction for two-dimensional heavy-hole system,which is in sharpcontrast to the case of linear-Rashba spin-orbit coupling in the electron band when the short-range disorder scattering isconsidered and the extrinsic mechanism as well as the effect of external electric field on the SO interaction are ignored. 展开更多
关键词 自旋轨道相互作用 反常霍尔效应 二维空穴气 自旋极化 立方 杂质散射 自旋轨道耦合 形式主义
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以氮化鎵/氮化铝镓超晶格结构优化氮化铟镓LED
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作者 吴玄元 罗正忠 +2 位作者 杨鸿志 邓顺达 张仲勋 《电子制作》 2018年第12期26-27,共2页
氮化镓半导体P型材料掺杂杂困难导致难以制备理想低阻抗P型材料,LED P区特性对其发光效率影响甚大,本研究藉由改善器件P区特性改善发光二极管光电特性,载流子沿超晶格结构垂直向传导时受结构中薄的势垒影响,一部份载流子得以藉由穿遂作... 氮化镓半导体P型材料掺杂杂困难导致难以制备理想低阻抗P型材料,LED P区特性对其发光效率影响甚大,本研究藉由改善器件P区特性改善发光二极管光电特性,载流子沿超晶格结构垂直向传导时受结构中薄的势垒影响,一部份载流子得以藉由穿遂作用于结构中传导,该种结构具有更好的载子传输能力及低的正相导通电压,而沿结构水平方向则可以通过超晶格量子限制效应与极化效应搭配,多数的载流子被限制于超晶格势阱区,并且透过极化产生能带顷斜将电子空穴进一步分离,该结构具有不同于块材更加优异的垂直传导能力使正相导通电压得以降低,透过较薄的厚度获取更高的出光效率且因其优异的水平传导能力可使薄的P区免于电流踊挤效应使效率下降,研究成功使用P型氮化铝镓/氮化镓超晶格结构改善蓝宝石衬底氮化镓发光二极管之P区特性,透过超晶格结构研究成果成功的透过改变P区载流子传输行为提升LED发光效率。 展开更多
关键词 超晶格结构 二维空穴气 效率下降
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表面InGaN厚度对GaN基发光二极管特性的影响
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作者 顾晓玲 郭霞 +2 位作者 吴迪 李一博 沈光地 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期1220-1223,共4页
通过调整GaN基发光二极管(LED)表面InGaN层的厚度,发现在20mA电流驱动下,LED器件的正向压降有明显差距.本文考虑了极化效应的影响,通过求解InGaN/GaN三角形势阱内二维空穴气浓度以及空穴隧穿概率的变化,求得了表面InGaN层厚度不同时器... 通过调整GaN基发光二极管(LED)表面InGaN层的厚度,发现在20mA电流驱动下,LED器件的正向压降有明显差距.本文考虑了极化效应的影响,通过求解InGaN/GaN三角形势阱内二维空穴气浓度以及空穴隧穿概率的变化,求得了表面InGaN层厚度不同时器件正向压降的变化趋势,发现理论结果与实验结果有很好的吻合.同时得到了获得最低正向压降的表面InGaN厚度. 展开更多
关键词 极化 二维空穴气 隧穿概率
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SiGe电荷注入晶体管的直流特性模型
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作者 舒斌 张鹤鸣 +2 位作者 胡辉勇 宣荣喜 戴显英 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期1105-1109,共5页
为了能直观地体现SiGe/Si电荷注入晶体管的收集极电流与漏源电压的关系,利用输入端SiGe/Si量子阱中二维空穴气的隧道模型,建立起此类器件的输入输出数学模型,并利用MATLAB软件对所建模型进行了模拟,结果显示在漏源电压约为1.5V时,漏电... 为了能直观地体现SiGe/Si电荷注入晶体管的收集极电流与漏源电压的关系,利用输入端SiGe/Si量子阱中二维空穴气的隧道模型,建立起此类器件的输入输出数学模型,并利用MATLAB软件对所建模型进行了模拟,结果显示在漏源电压约为1.5V时,漏电流出现较强的负微分电阻效应,与文献报道结果符合. 展开更多
关键词 SIGE/SI异质结 电荷注入晶体管 二维空穴气 隧道效应
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