DMOS阈值电压二维模型

提出了DMOS器件的二维阈值电压模型 ,分析了耗尽层宽度的变化 ,并得到了模型的数学表达式 .模型的解析解与实验结果和二维仿真器MEDICI的数值解相吻合 .给出了沟道表面扩散浓度在 2 0× 10 16～ 10 0× 10 16cm-3 范围内DMOS器件的阈值电压简明计算式 .该模型的提出解决了以往所用的DMOS阈值电压模型计算很不准确的问题 .

非均匀沟道DMOS器件阈值电压模型

提出了DMOS器件的二维电荷阈值电压模型。基于沟道区杂质的二维分布,求解泊松方 程,得到沟道区中耗尽电荷总量,给出DMOS二维阈值电压模型的解析式。该模型的解析解与实验 结果和数值解相吻合。并对DMOS的短沟效应和阈值电压与沟道表面扩散浓度、沟道结深和沟道 长度等参数的关系进行了深入分析,给出了短沟DMOS器件阈值电压的解析式。文中还给出了沟 道表面掺杂浓度在2.0×1016cm-3到10.0×1016cm-3范围内DMOS器件的阈值电压简明计算式。该 模型解决了习用的DMOS器件阈值电压模型解析值比实验结果大100％以上的问题。