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平面汞膜电极二阶倒导数电位溶出分析法研究
被引量:
2
1
作者
阮湘元
苏亚玲
+2 位作者
赵鸿斌
蒋南
冯德雄
《分析化学》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995年第11期1261-1266,共6页
对电位溶出的E-t曲线进行二阶倒导数处理,提高了二阶倒导数电位溶出分析法理论,其信号较一阶倒导数法增强约43.1n倍,分辨率由原来的 65.5mV/n改善到 48.2mV/n.用根据二阶倒导数法原理自行设计研制的多阶倒导数电泣溶出仪验证了本文提出...
对电位溶出的E-t曲线进行二阶倒导数处理,提高了二阶倒导数电位溶出分析法理论,其信号较一阶倒导数法增强约43.1n倍,分辨率由原来的 65.5mV/n改善到 48.2mV/n.用根据二阶倒导数法原理自行设计研制的多阶倒导数电泣溶出仪验证了本文提出的理论,富集120s,Cd~(2+)的检测限可达1.0×10~(-10)mol/L.
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关键词
电位溶出分析法
二阶倒导数
汞膜电极
下载PDF
职称材料
题名
平面汞膜电极二阶倒导数电位溶出分析法研究
被引量:
2
1
作者
阮湘元
苏亚玲
赵鸿斌
蒋南
冯德雄
机构
东莞理工学院化学系
湘潭大学化学系
暨南大学化学系
出处
《分析化学》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995年第11期1261-1266,共6页
文摘
对电位溶出的E-t曲线进行二阶倒导数处理,提高了二阶倒导数电位溶出分析法理论,其信号较一阶倒导数法增强约43.1n倍,分辨率由原来的 65.5mV/n改善到 48.2mV/n.用根据二阶倒导数法原理自行设计研制的多阶倒导数电泣溶出仪验证了本文提出的理论,富集120s,Cd~(2+)的检测限可达1.0×10~(-10)mol/L.
关键词
电位溶出分析法
二阶倒导数
汞膜电极
Keywords
Potentiometric stripping analysis, mercury thin-film electrode, second reciprocal derivation
分类号
O657.1 [理学—分析化学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
平面汞膜电极二阶倒导数电位溶出分析法研究
阮湘元
苏亚玲
赵鸿斌
蒋南
冯德雄
《分析化学》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995
2
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职称材料
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