一种高灵敏度低功耗的超再生接收机系统

采用0.18μm互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)工艺,实现用于402 MHz的超再生无线接收机系统。该系统采用互补交叉耦合结构的LC振荡器作为超再生振荡器,以最小化功率消耗;采用模拟与数字结合的方式实现复合熄火波形,在提高超再生接收机接收灵敏度与频率选择性的同时,进一步降低整体功耗。后仿真结果显示,在电源电压1.5 V的条件下,工作电流小于0.35 mA,系统接收灵敏度高于-90 dBm。

GHz VCO分析与设计

设计了一种用途广泛的VCO电路结构。所设计的VCO电路采用负阻差分振荡器的基本结构,主要对该电路进行了功耗分析,同时也对相位噪声、调谐范围、频率稳定性等方面进行了探讨。设计中采用电源电压为3.3 V,中心振荡频率约为2.44 GHz,21%的调谐范围,以及符合DCS-1800标准的低的相位噪声,重点是达到了较低的功耗。

2.42 GHz宽带低相噪LC压控振荡器的设计

采用一种基于开关电容阵列(SCA)和电压、电流滤波相结合的电路结构,设计了一个宽调谐范围低相位噪声的互补交叉耦合型LC压控振荡器。利用ADS仿真软件对电路进行仿真,达到了宽调谐、低相位噪声、低功耗的要求。

输入输出调谐的低相位噪声CMOS压控振荡器

设计了一个输入输出双调谐的CMOS压控振荡器(VCO),与传统的互补型交叉耦合对结构相比,该VCO谐振回路的有载品质因数得到提高,从而降低了相位噪声.采用CSM 0.25μm RF CMOS工艺设计,使用Cadence Spectre RF工具进行了仿真.仿真结果表明在2.5V的电源电压下,调谐范围为2.24～2.58GHz,达到了14.2%,相位噪声为-128dBc/Hz@1MHz,功耗为15mW.