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输入输出调谐的低相位噪声CMOS压控振荡器 被引量：3
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作者 徐跃 杨英强 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2009年第6期50-53,共4页
设计了一个输入输出双调谐的CMOS压控振荡器(VCO),与传统的互补型交叉耦合对结构相比,该VCO谐振回路的有载品质因数得到提高,从而降低了相位噪声.采用CSM 0.25μm RF CMOS工艺设计,使用Cadence Spectre RF工具进行了仿真.仿真结果表明在... 设计了一个输入输出双调谐的CMOS压控振荡器(VCO),与传统的互补型交叉耦合对结构相比,该VCO谐振回路的有载品质因数得到提高,从而降低了相位噪声.采用CSM 0.25μm RF CMOS工艺设计,使用Cadence Spectre RF工具进行了仿真.仿真结果表明在2.5V的电源电压下,调谐范围为2.24～2.58GHz,达到了14.2%,相位噪声为-128dBc/Hz@1MHz,功耗为15mW. 展开更多
关键词 压控振荡器 输入输出调谐 互补型交叉耦合对 相位噪声
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