期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
基于可调有源并联反馈技术的超低功耗宽带低噪声放大器
1
作者
高丽娜
庞建丽
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第6期414-418,424,共6页
设计了一款超低功耗宽带低噪声放大器(LNA)。该LNA采用互补电流复用结构,该结构采用共栅级NMOS管和PMOS管作为输入器件。采用有源并联反馈结构以实现输入网络的低功耗,同时反馈级的电流被输入晶体管复用,改善LNA的电流效率。利用衬底偏...
设计了一款超低功耗宽带低噪声放大器(LNA)。该LNA采用互补电流复用结构,该结构采用共栅级NMOS管和PMOS管作为输入器件。采用有源并联反馈结构以实现输入网络的低功耗,同时反馈级的电流被输入晶体管复用,改善LNA的电流效率。利用衬底偏置方案,对反馈系数进行调节。基于TSMC 0.13μm CMOS工艺技术进行流片,芯片面积为0.007 2mm2。芯片在片测试结果为:在1V电压供电下,消耗了500μA的电流。LNA的3dB带宽为0.1~2.5GHz,增益为9.5~13.6dB,噪声系数低于4.7dB,输入三阶交调截止点为-9.3~-6.8dBm。
展开更多
关键词
互补电流复用
衬底偏置
无电感
低噪声放大器
可调有源并联反馈
超低功耗
下载PDF
职称材料
题名
基于可调有源并联反馈技术的超低功耗宽带低噪声放大器
1
作者
高丽娜
庞建丽
机构
黄淮学院
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第6期414-418,424,共6页
基金
河南省科技发展计划科技攻关项目(132102210441)
河南省高校骨干教师资助计划项目(2015GGJS-252)
河南省教育厅省级教改项目(2017SJGLX456)
文摘
设计了一款超低功耗宽带低噪声放大器(LNA)。该LNA采用互补电流复用结构,该结构采用共栅级NMOS管和PMOS管作为输入器件。采用有源并联反馈结构以实现输入网络的低功耗,同时反馈级的电流被输入晶体管复用,改善LNA的电流效率。利用衬底偏置方案,对反馈系数进行调节。基于TSMC 0.13μm CMOS工艺技术进行流片,芯片面积为0.007 2mm2。芯片在片测试结果为:在1V电压供电下,消耗了500μA的电流。LNA的3dB带宽为0.1~2.5GHz,增益为9.5~13.6dB,噪声系数低于4.7dB,输入三阶交调截止点为-9.3~-6.8dBm。
关键词
互补电流复用
衬底偏置
无电感
低噪声放大器
可调有源并联反馈
超低功耗
Keywords
complementary current-reuse
substrate bias
inductorless
low-noise amplifier
tunable active shunt-feedback
ultra-low power
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于可调有源并联反馈技术的超低功耗宽带低噪声放大器
高丽娜
庞建丽
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2018
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部