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基于传统的CMOS工艺延伸漏极NMOS功率管研究
被引量:
1
1
作者
浦志卫
郭维
《电子器件》
EI
CAS
2006年第3期647-650,共4页
延伸漏极N型MOS(EDNMOS)是基于传统低成本CMOS工艺设计制造,用N-well作为NMOS漏极漂移区,以提高其击穿电压。用二维器件模拟软件Medici[1]对该器件进行模拟分析,结果表明有效地提高了NMOS管击穿电压。实验结果表明采用这种结构能使低压C...
延伸漏极N型MOS(EDNMOS)是基于传统低成本CMOS工艺设计制造,用N-well作为NMOS漏极漂移区,以提高其击穿电压。用二维器件模拟软件Medici[1]对该器件进行模拟分析,结果表明有效地提高了NMOS管击穿电压。实验结果表明采用这种结构能使低压CMOS工艺输出功率管耐压提高到电源电压的2.5倍,样管在5 V栅压下输出的电流可达到750 mA。作为开关管工作,对于1 000 pF容性负载,其工作电流在550 mA时,工作频率可达500 KHz。
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关键词
互补mos工艺
延伸漏极N型
mos
二维器件模拟软件
击穿电压
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职称材料
题名
基于传统的CMOS工艺延伸漏极NMOS功率管研究
被引量:
1
1
作者
浦志卫
郭维
机构
浙江大学信息与电子工程学系微电子技术与系统设计研究所
出处
《电子器件》
EI
CAS
2006年第3期647-650,共4页
基金
浙江教育厅资助(20051006)
文摘
延伸漏极N型MOS(EDNMOS)是基于传统低成本CMOS工艺设计制造,用N-well作为NMOS漏极漂移区,以提高其击穿电压。用二维器件模拟软件Medici[1]对该器件进行模拟分析,结果表明有效地提高了NMOS管击穿电压。实验结果表明采用这种结构能使低压CMOS工艺输出功率管耐压提高到电源电压的2.5倍,样管在5 V栅压下输出的电流可达到750 mA。作为开关管工作,对于1 000 pF容性负载,其工作电流在550 mA时,工作频率可达500 KHz。
关键词
互补mos工艺
延伸漏极N型
mos
二维器件模拟软件
击穿电压
Keywords
C
mos
technology
extended drain N
mos
FET
2-D devices simulator
breakdown voltage
分类号
TN303 [电子电信—物理电子学]
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于传统的CMOS工艺延伸漏极NMOS功率管研究
浦志卫
郭维
《电子器件》
EI
CAS
2006
1
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