三维VLSI互连寄生电容提取的研究进展

随着VLSI电路集成密度急剧增长及特征尺寸不断缩小 ,互连寄生参数提取已成为集成电路辅助设计中的一个研究热点 .目前 ,三维互连寄生电容提取的研究得到广泛关注 ,并取得了很大进展 .针对这一热点 ,结合作者的研究工作 ,对三维电容提取方法进行综述 ,详细阐述国内外的相关研究进展情况 .重点介绍间接、直接边界元方法 ,以及维度缩减技术和区域分解法等半解析方法 .

用有限元求导法计算VLSI中工艺变化的互连线寄生电容

集成电路发展到当前纳米级的工艺水平,互连线的宽度已经远低于掩膜光刻工艺中所使用的光波长,使光刻后互连线的外形与设计尺寸不一致,其中一个重要特征就是导线边角圆化,这给准确提取互连线的寄生参数带来了困难。本文运用有限元求导的方法,求出互连线寄生电容对于其边角尺寸的敏感度,为设计后期电容的准确提取和分析提供支持。算例表明,这种方法计算出的电容完全满足工程上的精度要求,可以成为集成电路设计的一个辅助工具。