铜互连布线及其镶嵌技术在深亚微米IC工艺中的应用

近几年来 ,随着 VLSI器件密度的增加和特征尺寸的减小 ,铜互连布线技术作为减小互连延迟的有效技术 ,受到人们的广泛关注。文中介绍了基本的铜互连布线技术 ,包括单、双镶嵌工艺 ,CMP工艺 ,低介电常数材料和阻挡层材料 。

未来十年互连布线技术的新挑战

1999年4月底,在美国举行了第三届国际布线设计学术讨论会,会议就未来10年布线设计的需求和发展趋势进行了深入讨论,会上,SRC提出'未来十年VLSI布线技术的十大问题',作为大学、研究机构和工业界的主要研究课题和产品开发方向。SRC是包括一些美国主要半导体公司,如Intel、IBM、National Semiconductor和LSI Logic等联合组成的超大规模集成电路计算机辅助设计(VLSICAD)技术研究项目的管理机构。在未来10年中,布线技术要面对单个芯片高达数百兆个晶体管,多至7、8层金属的多层布线问题。

超大规模集成电路互连系统的布线构造对散热的影响(英文)

应用一个三层互连布线结构研究了诸多因素尤其是布线的几何构造对互连系统散热问题的影响,并对多种不同金属与介质相结合的互连布线的散热情况进行了详细模拟.研究表明互连线上焦耳热的主要散热途径为金属层内的金属线和介质层中热阻相对小的路径.因此互连系统的几何布线对系统散热具有重要影响.在相同条件下,铝布线系统的温升约为铜布线的ρAl/ρCu倍.此外,模拟了0·13μm工艺互连结构中连接功能块区域的信号线上的温升情况,探讨了几种用于改善热问题的散热金属条对互连布线的导热和附加电容的影响.

有机介质薄膜-陶瓷异构集成互连技术

介绍了有机介质薄膜-陶瓷异构集成互连技术发展概况,基于陶瓷基板、有机介质薄膜和金属化布线及互连制备工艺,详细阐述了有机介质薄膜-陶瓷异构集成互连中的四种关键技术:陶瓷基板收缩率控制、陶瓷基板表面处理、有机介质薄膜制备和金属化布线及互连。陶瓷基板收缩率控制是通过改善陶瓷基板制备工艺,实现了对陶瓷基板通孔位置的控制,进而使陶瓷基板更好地与薄膜工艺相匹配;陶瓷基板表面处理是利用化学机械抛光(CMP)处理陶瓷基板表面,使基板表面粗糙度和平整度满足有机介质薄膜工艺需求,实现了在陶瓷基板上兼容有机介质薄膜;有机介质薄膜由低介电常数的有机高分子聚合物通过旋涂和烘焙而成,再通过多次薄膜工艺实现了多层有机介质薄膜的制备;金属化布线及互连利用物理气相沉积(PVD)技术制备粘附层金属和导电层金属,实现了介质层金属化布线和层间金属化互连。最后展望了有机介质薄膜-陶瓷异构集成互连技术的发展趋势。

MT/MPO光纤连接器的新发展

本文介绍近年来为了适应高速和大容量光纤通信系统中高密度和高效率的互连布线的需要 ,日本住友和藤仓两家公司在 MT/MPO光纤连接器方面所进行的研究开发工作。研究重点在这些连接器中的关键部件MT套筒的改进。采用了注塑成形的 PPS新材料来制造套筒 ,以取得超低而稳定的介入损耗 ;提出了在连接端面附近的导引孔周围打倒角 ,以改善反复接插的耐久性。引入了最大达 16芯的单维 MT连接器和最大达 60芯的 2 -维阵列 MT连接器 ,以代替用多个 12芯 MT套筒的大芯数连接器 ,显著增加了光纤密度。开发了 2 -维阵列 MT连接器用的 2 4芯扁光纤带光缆代替圆光缆。文章介绍了这些新开发的产品的光学。

用硅作系统级封装的衬底基片的进展

芯片倒装技术应用以来，人们就在研究用硅作为封装的衬底基片，其部分原因在于这样基片的热胀系数就与相匹配的硅管芯热胀系数完全一样了。硅材料目前已被、使用作系统级封装（SIP）的衬底基片材料，在其上面很容易材作精细线条的互连布线。最近的一个进展则是日本公司发表了材成带有通孔的硅衬底基板的结果。

半导体封装工艺面临的挑战

集成电路元器件密度与性能的不断提高是以集成电路关键尺寸的不断缩小和芯片内信号互连布线不断复杂化，布线层数不断增加为代价的。