期刊文献+
共找到12篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
一种新的求解ULSI双介质互连电容的模拟电荷法 被引量:2
1
作者 朱兆旻 肖夏 +2 位作者 阮刚 宋任儒 刘勇 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期208-213,共6页
论述了一种模拟电荷法与镜像格林函数法相结合 ,对模拟电荷用 DFP法进行最优设置的提取双介质 UL SI互连电容参数的基本算法 ,并与其它互连电容模拟软件模拟的结果进行了比较 ,相对偏差小于 10 % 。
关键词 格林函数法 模拟电荷法 双介质互连电容 ULSI 集成电路
下载PDF
一种快速的三维VLSI互连电容提取方法:虚拟多介质方法
2
作者 喻文健 王泽毅 侯劲松 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第11期1526-1529,共4页
本文提出一种基于直接边界元方法的虚拟多介质 (Quasi MultipleMedium ,QMM)加速方法 ,并将它应用于三维VLSI多介质互连电容的计算中 .QMM方法将三维互连电容器中的单层介质看成由多个虚拟介质组成 ,从而大大减少了系数矩阵中的非零元数... 本文提出一种基于直接边界元方法的虚拟多介质 (Quasi MultipleMedium ,QMM)加速方法 ,并将它应用于三维VLSI多介质互连电容的计算中 .QMM方法将三维互连电容器中的单层介质看成由多个虚拟介质组成 ,从而大大减少了系数矩阵中的非零元数目 ,最终使计算时间和存储空间显著减少 .通过比较QMM算法与非QMM算法 ,以及商业软件Raphael对实际三维互连结构的计算 ,结果表明QMM算法在保持计算准确性的同时 ,可使电容提取的效率得到显著提高 . 展开更多
关键词 互连电容提取法 集成电路 VLSI 虚拟多介质法
下载PDF
3D互连电容快速提取的新途径——介质积木库法 被引量:2
3
作者 戴斌华 陆涛涛 +1 位作者 王泽毅 洪先龙 《计算机辅助设计与图形学学报》 EI CSCD 北大核心 2004年第3期343-347,共5页
引入介质积木的概念 ,可方便地对三维互连结构作预处理以形成介质积木库 ,从而提高电容提取速度 介质积木库法只需借助工艺描述文件 ,即可处理包括保形介质和非正交互连等复杂结构 数值计算表明 :基于介质积木库的电容提取算法在同等... 引入介质积木的概念 ,可方便地对三维互连结构作预处理以形成介质积木库 ,从而提高电容提取速度 介质积木库法只需借助工艺描述文件 ,即可处理包括保形介质和非正交互连等复杂结构 数值计算表明 :基于介质积木库的电容提取算法在同等精度下比SpiceLink算法快 展开更多
关键词 VLSI 超大规模集成电路 直接边界元法 宏模型库 介质积木库法 3D互连电容 寄生电容
下载PDF
面向集成电路互连电容提取的三维交互显示程序设计与实现
4
作者 严韫洲 喻文健 +1 位作者 裴春艳 胡超 《计算机辅助设计与图形学学报》 EI CSCD 北大核心 2022年第4期507-514,共8页
为了辅助电容提取程序包RWCap的开发和调试,并增强三维结构数据Cap3D文件的可视性,开发了三维交互显示程序RWCapView,直观、清晰地展示Cap3D文件描述的导体空间结构.首先读入Cap3D文件,利用ANTLR辅助生成的LL语法分析器解析出三维坐标数... 为了辅助电容提取程序包RWCap的开发和调试,并增强三维结构数据Cap3D文件的可视性,开发了三维交互显示程序RWCapView,直观、清晰地展示Cap3D文件描述的导体空间结构.首先读入Cap3D文件,利用ANTLR辅助生成的LL语法分析器解析出三维坐标数据;再利用深度缓冲算法和扫描线算法进行图像的输出,并同步显示导体空间坐标轴和标尺以标识其方位和尺寸;通过实现基础仿射变换支持对导体空间的多角度细致观察,建立导体和金属层、介质层的关联,支持多种导体筛选方式.基于实际版图的实验结果表明,该程序解析并输出10 000块以上导体的设计版图总耗时3 s左右,进行各种变换的响应时间约100 ms,可以快速处理导体数量很大的大规模集成电路设计版图. 展开更多
关键词 互连电容提取 三维结构描述 随机行走方法 深度缓冲算法
下载PDF
一种基于局部间断Galerkin方法的IC互连线电容提取策略
5
作者 朱洪强 邵如梦 +3 位作者 赵郑豪 杨航 汤谨溥 蔡志匡 《微电子学》 CAS 北大核心 2024年第1期127-133,共7页
求解椭圆方程的局部间断Galerkin(LDG)方法具有精度高、并行效率高的优点,且能适用于各种网格。文章提出采用LDG方法来求解IC版图中电势分布函数满足的Laplace方程,从而给出了一个提取互连线电容的新方法。该问题的求解区域需要在矩形... 求解椭圆方程的局部间断Galerkin(LDG)方法具有精度高、并行效率高的优点,且能适用于各种网格。文章提出采用LDG方法来求解IC版图中电势分布函数满足的Laplace方程,从而给出了一个提取互连线电容的新方法。该问题的求解区域需要在矩形区域内部去掉数量不等的导体区域,在这种特殊的计算区域上,通过数值测试验证了LDG方法能达到理论的收敛阶。随着芯片制造工艺的发展,导体尺寸和间距也越来越小,给数值模拟带来新的问题。文章采用倍增网格剖分方法,大幅减小了计算单元数。对包含不同数量和形状导体的七个电路版图,用新方法提取互连线电容,得到的结果与商业工具给出的结果非常接近,表明了新方法的有效性。 展开更多
关键词 局部间断Galerkin方法 寄生参数提取 互连线电容 集成电路工艺
下载PDF
三维VLSI互连寄生电容提取的研究进展 被引量:12
6
作者 喻文健 王泽毅 《计算机辅助设计与图形学学报》 EI CSCD 北大核心 2003年第1期21-28,共8页
随着VLSI电路集成密度急剧增长及特征尺寸不断缩小 ,互连寄生参数提取已成为集成电路辅助设计中的一个研究热点 .目前 ,三维互连寄生电容提取的研究得到广泛关注 ,并取得了很大进展 .针对这一热点 ,结合作者的研究工作 ,对三维电容提取... 随着VLSI电路集成密度急剧增长及特征尺寸不断缩小 ,互连寄生参数提取已成为集成电路辅助设计中的一个研究热点 .目前 ,三维互连寄生电容提取的研究得到广泛关注 ,并取得了很大进展 .针对这一热点 ,结合作者的研究工作 ,对三维电容提取方法进行综述 ,详细阐述国内外的相关研究进展情况 .重点介绍间接、直接边界元方法 ,以及维度缩减技术和区域分解法等半解析方法 . 展开更多
关键词 VLSI 互连寄生参数 数值算法 半导体工艺 电子设计自动化 三维互连寄生电容提取 超大规模集成电路
下载PDF
互连寄生电容器中屏蔽导体的快速判断
7
作者 古江春 王泽毅 洪先龙 《计算机辅助设计与图形学学报》 EI CSCD 北大核心 2000年第10期721-725,共5页
应用层次式 Z缓冲区可视性算法的思想 ,实现了一种互连寄生电容器中屏蔽导体的快速判断算法 ,能准确地确定对电容值影响较小的导体 ,并加以消除 .当用边界元法提取甚多环境导体对关键路径产生的寄生电容时 ,可在满足计算精度的条件下 ,... 应用层次式 Z缓冲区可视性算法的思想 ,实现了一种互连寄生电容器中屏蔽导体的快速判断算法 ,能准确地确定对电容值影响较小的导体 ,并加以消除 .当用边界元法提取甚多环境导体对关键路径产生的寄生电容时 ,可在满足计算精度的条件下 ,显著地提高计算速度 . 展开更多
关键词 屏蔽导体 互连寄生电容 VLSI 集成电路 设计
下载PDF
一种改进的穿硅电容三维互连技术 被引量:1
8
作者 刘松 单光宝 《微纳电子技术》 北大核心 2017年第8期558-564,共7页
针对硅通孔(through-silicon via,TSV)背面通孔外露工艺复杂度与成本较高、易遗留工艺隐患的问题,提出一种改进的穿硅电容(through-silicon capacitor,TSC)三维互连技术。首先,介绍TSC结构特点与工艺制作方法。其次,通过电磁仿真分析TS... 针对硅通孔(through-silicon via,TSV)背面通孔外露工艺复杂度与成本较高、易遗留工艺隐患的问题,提出一种改进的穿硅电容(through-silicon capacitor,TSC)三维互连技术。首先,介绍TSC结构特点与工艺制作方法。其次,通过电磁仿真分析TSC互连电容耦合特性,结合传统收发电路与HSPICE仿真验证TSC互连在高频信号传输应用中的可行性。分析与仿真结果显示:TSC省去TSV背面通孔外露工艺可进一步降低成本及复杂工艺引入的可靠性隐患。采用孔半径2.5μm、孔高50μm单根TSC通道可实现15 Gbps高频信号传输,功耗约为0.045 mW/Gbps。研究表明,TSC互连是一种高可靠、低成本的三维互连结构,为实现高频三维集成电路(3D IC)提供一种可行的互连技术方案。 展开更多
关键词 三维集成电路(3D IC) 三维互连 硅通孔(TSV) 电容耦合互连(CCI) 硅通孔(TSV)背面通孔外露工艺
下载PDF
三维互连寄生电容器描述语言
9
作者 陈瑞明 陆涛涛 +1 位作者 喻文健 王泽毅 《贵州工业大学学报(自然科学版)》 CAS 2002年第4期57-60,共4页
介绍描述集成电路中各种复杂三维互连寄生电容器的语言 (PDDL)。该语言采用体描述的方法 ,可以方便的描述诸如保形、多平面等复杂结构 ,并已实现于边界元素法三维互连寄生电容提取软件B3D中。
关键词 三维互连寄生电容 描述语言 边界元素法 保形结构 多平面结构 集成电路 PDDL 体描述 VISI电路
下载PDF
一种用于提取超大规模集成电路电容的新型库查找法
10
作者 赵鹏 张杰 +1 位作者 陈抗生 王浩刚 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第11期1794-1802,共9页
提出了八种节点电容典型结构用以建立电容模型库,并阐明了这八种结构可以提取大多数VLSI互连线的电容参数,给出了这些结构的拟合公式.采用该库查找法计算的互连线电容结果与FastCap所得结果非常吻合.由于电容是直接代入拟合公式计算得到... 提出了八种节点电容典型结构用以建立电容模型库,并阐明了这八种结构可以提取大多数VLSI互连线的电容参数,给出了这些结构的拟合公式.采用该库查找法计算的互连线电容结果与FastCap所得结果非常吻合.由于电容是直接代入拟合公式计算得到的,所以计算速度非常快. 展开更多
关键词 库查找法 多层 VLSI互连线 互连线电容
下载PDF
Elmore Delay Estimation of Two Adjacent Coupling Interconnects
11
作者 董刚 杨银堂 李跃进 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期54-58,共5页
An approach for analyzing coupling RC interconnect delay based on "effective capacitance" is presented. We compare this new method to the traditional method,which uses Miller capacitance. The results show that the n... An approach for analyzing coupling RC interconnect delay based on "effective capacitance" is presented. We compare this new method to the traditional method,which uses Miller capacitance. The results show that the new method not only improves the accuracy but also reflects the delay dependence on rise time. The method has the same complexity as the Elmore delay model and can be used in performance-driven routing optimization. 展开更多
关键词 capacitance extraction coupling RC interconnecl effective capacitance DELAY
下载PDF
互连、布线、隔离与装架工艺
12
《电子科技文摘》 2000年第12期40-41,共2页
Y2000-62135-167 0020146作为高导电率衬垫用于铜/苯环丁烯互连的掺碳铜=Carbon-doped copper as a high-conductivity liner for cop-per/Benzocyclobutene(BCB)interconnects[会,英]/Neirynck,J.M.& Xiao,Y.//1999 IEEE Proeeedin... Y2000-62135-167 0020146作为高导电率衬垫用于铜/苯环丁烯互连的掺碳铜=Carbon-doped copper as a high-conductivity liner for cop-per/Benzocyclobutene(BCB)interconnects[会,英]/Neirynck,J.M.& Xiao,Y.//1999 IEEE Proeeedingsof International Interconnect Technology Conference.-167~169(EC) 展开更多
关键词 装架工艺 互连电容 高导电率 布线 隔离 丁烯 超低介电常数 掺碳 电介质 衬垫
原文传递
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部