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3⁃五唑基吡啶及其衍生物作为N_(5)^(-)离子前体的理论研究
1
作者
袁万里
江毕涛
+4 位作者
章冲
孙呈郭
高超
胡炳成
杜杨
《含能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第12期1237-1244,共8页
高能五唑离子盐的合成是含能材料领域的研究热点,五唑阴离子的制备是合成高能五唑离子盐的关键步骤。为了拓宽五唑阴离子的来源,寻求稳定性更好,性能更优的五唑阴离子前体,采用密度泛函理论计算研究了3‑五唑基吡啶及其衍生物的桥连C—N...
高能五唑离子盐的合成是含能材料领域的研究热点,五唑阴离子的制备是合成高能五唑离子盐的关键步骤。为了拓宽五唑阴离子的来源,寻求稳定性更好,性能更优的五唑阴离子前体,采用密度泛函理论计算研究了3‑五唑基吡啶及其衍生物的桥连C—N键和五唑环的稳定性。结果表明:除—OH、—OMe、—N(Me)_(2)对位取代物外,3‑五唑基吡啶及其—NO_(2)、—CN、—NF_(2)对位取代,—NO_(2)、—CN、—NF_(2)、—OH、—OMe、—N(Me)_(2)间位取代,—NO_(2)、—CN、—NF_(2)、—OH、—OMe、—N(Me)_(2)对位和间位双取代物的桥连C—N键断裂所需的能量E_(a1)均小于苯基五唑,说明这些化合物比苯基五唑更易于得到五唑阴离子。—OMe、—N(Me)_(2)对位取代,—OMe、—N(Me)_(2)间位和对位双取代物的五唑环破裂的能垒E_(a2)与苯基五唑相当,说明这些化合物的五唑环具有较好的稳定性。—N(Me)_(2)间位取代物的E_(a1)和E_(a2)的差值ΔE最小,说明该化合物在切断桥连C—N键获得N_(5)^(-)离子过程中,最易维持五唑环的稳定。相比于苯基五唑,—N(Me)_(2)间位取代和双取代的3‑五唑基吡啶具有较低的ΔE_(a1)、较高的ΔE_(a2)和较低的ΔE,说明其具有替代苯基五唑作为五唑阴离子前体的潜力。
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关键词
五唑阴离子前体
密度泛函理论
稳定性
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职称材料
题名
3⁃五唑基吡啶及其衍生物作为N_(5)^(-)离子前体的理论研究
1
作者
袁万里
江毕涛
章冲
孙呈郭
高超
胡炳成
杜杨
机构
南京理工大学化学与化工学院
出处
《含能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022年第12期1237-1244,共8页
基金
国家自然科学基金(21903044,11972178,21975128)。
文摘
高能五唑离子盐的合成是含能材料领域的研究热点,五唑阴离子的制备是合成高能五唑离子盐的关键步骤。为了拓宽五唑阴离子的来源,寻求稳定性更好,性能更优的五唑阴离子前体,采用密度泛函理论计算研究了3‑五唑基吡啶及其衍生物的桥连C—N键和五唑环的稳定性。结果表明:除—OH、—OMe、—N(Me)_(2)对位取代物外,3‑五唑基吡啶及其—NO_(2)、—CN、—NF_(2)对位取代,—NO_(2)、—CN、—NF_(2)、—OH、—OMe、—N(Me)_(2)间位取代,—NO_(2)、—CN、—NF_(2)、—OH、—OMe、—N(Me)_(2)对位和间位双取代物的桥连C—N键断裂所需的能量E_(a1)均小于苯基五唑,说明这些化合物比苯基五唑更易于得到五唑阴离子。—OMe、—N(Me)_(2)对位取代,—OMe、—N(Me)_(2)间位和对位双取代物的五唑环破裂的能垒E_(a2)与苯基五唑相当,说明这些化合物的五唑环具有较好的稳定性。—N(Me)_(2)间位取代物的E_(a1)和E_(a2)的差值ΔE最小,说明该化合物在切断桥连C—N键获得N_(5)^(-)离子过程中,最易维持五唑环的稳定。相比于苯基五唑,—N(Me)_(2)间位取代和双取代的3‑五唑基吡啶具有较低的ΔE_(a1)、较高的ΔE_(a2)和较低的ΔE,说明其具有替代苯基五唑作为五唑阴离子前体的潜力。
关键词
五唑阴离子前体
密度泛函理论
稳定性
Keywords
precursors of N5ˉion
density functional theory
stability
分类号
TJ55 [兵器科学与技术—军事化学与烟火技术]
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职称材料
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作者
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1
3⁃五唑基吡啶及其衍生物作为N_(5)^(-)离子前体的理论研究
袁万里
江毕涛
章冲
孙呈郭
高超
胡炳成
杜杨
《含能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2022
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