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一款高精度宽温度范围TCXO芯片的设计 被引量：2
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作者 李晓宇 徐静平 +1 位作者 钟德刚 季峰 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2012年第1期57-61,共5页
本文基于SMIC 0.35μm标准CMOS工艺设计了一款高精度、宽温度补偿范围的温度补偿晶体振荡器(TCXO)芯片.利用函数发生电路产生符合f-T关系的五次多项式电压,电路产生电压与f-T特性表达式中的对应项相符合,求和电路可对各项系数进行单独调... 本文基于SMIC 0.35μm标准CMOS工艺设计了一款高精度、宽温度补偿范围的温度补偿晶体振荡器(TCXO)芯片.利用函数发生电路产生符合f-T关系的五次多项式电压,电路产生电压与f-T特性表达式中的对应项相符合,求和电路可对各项系数进行单独调整.电路参数的调整范围使得大部分AT切石英晶体均适用于本设计.测试结果表明,在-40℃～105℃的温度范围内,TCXO频率稳定性达到±0.6ppm. 展开更多
关键词 TCXO 温度补偿 三次方函数 五次方函数
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