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a—Si　TFT复合栅绝缘层用阳极氧化Ta_2O_5的研究 被引量：2
1
作者 熊绍珍 张建军 +6 位作者 周祯华 孟志国 戴永平 谷纯芝 马京涛 丁世斌 赵庚申 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 1994年第3期257-262,共6页
研究了Ｔａ的阳极氧化反应动力学用自制装置有效地控制用于非晶硅薄膜晶体管（ａ─ＳｉＴＦＴ）的复合栅绝缘层Ｔａ２Ｏ５厚度，膜质均匀、性能优良，使复合栅绝缘层ａ─ＳｉＴＦＴ的开启电压（ＶＴ）控制在３─５Ｖ之间，开关电流比（... 研究了Ｔａ的阳极氧化反应动力学用自制装置有效地控制用于非晶硅薄膜晶体管（ａ─ＳｉＴＦＴ）的复合栅绝缘层Ｔａ２Ｏ５厚度，膜质均匀、性能优良，使复合栅绝缘层ａ─ＳｉＴＦＴ的开启电压（ＶＴ）控制在３─５Ｖ之间，开关电流比（Ｉ（ｏｎ）／Ｉ（ｏｆｆ））大于１０７，场效应迁移率为０．８６ｃｍ２／Ｖ·Ｓ． 展开更多
关键词 阳极氧化 五氧化二钛 薄膜晶体管
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