离子色谱法测定五氧化二铌和五氧化二钽中痕量氟氯和硫酸根离子的前处理方法

采用马弗炉将样品与NaOH混合进行熔融煅烧，热去离子水提取、离心、稀释后过OnGuard Ⅱ H柱和过滤膜进行前处理，抑制型电导离子色谱法检测，测定了Ta2O5和Nb2O5的氟离子、氯离子和硫酸根离子。该方法对三种被测阴离子的检测限（s／N=3）在0．15～0．70μg／g（以固体样品实际浓度计）或0．136～0．623μg／L（以溶液浓度计），标准曲线线性范围均在两个数量级以上，方法的精密度（RSD，n=7）小于5．46％，回收率为88％～106％，具有灵敏度高、选择性好、重现性佳、对环境友好等特点，用于实际样品的检测，结果令人满意。

电感耦合等离子体质谱法测定高纯五氧化二钽中20种痕量杂质元素

将五氧化二钽样品在105℃下烘干2h,冷却至室温后,取样品0.500 0g,加入氢氟酸5mL,硝酸2.5mL,按程序升温微波消解,用水定重至50.0g。应用动态反应池技术消除多原子离子对铁元素的干扰,甲烷反应气流量为0.2mL·min^(-1),Rpq为0.80。以标准加入法补偿基体效应制作标准曲线,采用电感耦合等离子体质谱法测定20种杂质元素的含量。各元素的检出限(3s)在0.009~0.53μg·g^(-1)之间,用标准加入法做回收试验,测得回收率在90.0%~116%之间,测定值的相对标准偏差(n=11)在1.8%~17%之间。

五氧化二钽薄膜的制备及其I-U特性

本文利用脉冲直流反应磁控溅射的方法制备了五氧化二钽 (Ta2 O5)薄膜 ,俄歇电子能谱仪测试了薄膜的成分含量 ,椭偏仪测试了Ta2 O5薄膜的厚度和折射率 ,XRD分析了薄膜的晶体结构 ,并且分别研究了氧气含量、基底温度等成膜工艺对薄膜的影响。研究结果表明薄膜的成分主要是由氧气含量决定的。利用金属 绝缘体 (介质膜 ) 金属 (MIM)结构初步对Ta2 O5薄膜进行了电学性能的测试 :皮安电流电压源测试了薄膜的I U特性 ,制备出的薄膜折射率在 2 1～ 2 2 ,MIM的I

镧掺杂五氧化二钽膜电极的电化学性能(英文)

利用低温水热法合成了镧掺杂五氧化二钽粉体.对样品的相结构进行了X射线衍射(XRD)分析,结果表明,掺镧后的五氧化二钽有好的晶型,并且掺杂使其衍射峰发生低角度偏移.通过循环伏安法(CV)在0.1 mol.L-1KCl(含有K3Fe(CN)6)水溶液中测试了镧掺杂五氧化二钽膜电极的电化学性能,CV结果表明K3Fe(CN)6)在膜电极上的电极反应是扩散控制的反应.此外,镧掺杂五氧化二钽膜电极仍然有好的导电性,并且展现了比不掺杂的五氧化二钽膜电极更稳定的电化学特性.

五氧化二钽高K薄膜作为MOSFET绝缘栅研究

本文综述了MOSFET栅介质的最新研究状况。介绍了Ta2O5高k薄膜材料作为MOSFET栅氧化物在现阶段主要的制备技术和进展。电学性能是今后研究应关注的主要方面。最后展望了其在MOSFET绝缘栅的研究前景。

氮化钼与五氧化二钽复合电极性能的研究

在添加Ta2O5下,通过MoO3混合物与NH3反应制得氮化钼与五氧化二钽复合活性电极材料,运用XRD对复合活性电极材料进行了表征,采用循环伏安法对γ氮化钼及其复合电极进行电化学测量,研究成膜物质的结晶形态、表面形貌和对电容的影响。结果表明氮化钼与五氧化二钽复合电极成膜均匀,与基体附着性强,电容特征显著,具有良好的稳定性与重现性,而且明显改善电容器的大功率放电特性,添加Ta2O5可以使Mo2N的工作电位窗口拓宽0.40倍,相同条件下电容值增加0.50倍。

基于五氧化二钽集成非线性光波导的高重复频率宽带平坦相干光频率梳的产生

通过波导结构设计以及色散调控,基于孤子脉冲压缩、自相位调制和光波分裂效应,用0.22 m反常色散五氧化二钽波导级联0.9 m正常色散五氧化二钽波导产生在1 520~1 580 nm波段具有4 dB平坦度、60 nm带宽的平坦光频率梳.利用X-Frog技术分析了脉冲在传输过程中的时谱演化,并且研究了产生光频率梳的相干性.时谱演化指出自相位调制和光波分裂的共同作用使得光频率梳的光谱包络变宽,并且具有良好的平坦度.一阶复互相干度计算指出光频率梳具有较好的相干性.仿真结果表明,五氧化二钽集成非线性光波导在产生高重复频率平坦相干宽带光频率梳方面具有较好的前景.

五氧化二钽纳米柱的水热合成和光催化性能（英文）

以聚乙烯醇(PEG)为结构导向剂,利用水热法合成了形貌可控的Ta2O5纳米柱.采用X射线衍射、扫描电镜、透射电镜、漫反射紫外-可见光谱和光致发光光谱对所制备样品进行了表征.考察了结晶时间和Ta2O5/Sr(OH)2摩尔比等合成参数对样品形貌的影响,并在此基础上对Ta2O5纳米粒可能的生长机理进行了推测.结果表明,在PEG和Sr(OH)2存在条件下可以合成形貌可控的Ta2O5纳米柱.研究了紫外光下Ta2O5纳米柱降解罗丹明B的光催化性能,发现Ta2O5的形貌对光催化性能有很大影响,Ta2O5纳米柱的光催化性能与其长度和直径比成线性关系.催化降解反应的表观速率常数最高可达0.156 min–1,且经多次循环使用后,样品仍然保持较高的催化性能.

钛种植体表面五氧化二钽涂层的制备及其促成骨研究进展

钛及钛合金是种植体的首选材料,然而钛生物惰性可减慢骨结合进程,因此对钛种植体进行表面成骨改性成为研究的热点。钽(Ta)涂层因其优异的生物、机械及耐腐蚀性能已成为钛表面改性的重要方法。Ta的优良性能主要归功于其表面的五氧化二钽(Ta_(2)O_(5)),因此Ta_(2)O_(5)涂层为钛表面改性提供了一个新方向。Ta硬度、熔点较高且极易氧化成Ta_(2)O_(5),涂层制备较为独特,本文对Ta_(2)O_(5)涂层的制备工艺作一归纳。此外,本文还综述了钛表面Ta_(2)O_(5)涂层的促成骨相关研究,为制备成骨性能优良的钛种植体表面Ta_(2)O_(5)涂层提供理论指导。其中,由于Ta_(2)O_(5)具有一定生物惰性,本文对Ta_(2)O_(5)涂层复合改性以协同增强成骨作用作了重点综述。

溶胶凝胶法制备介孔五氧化二钽薄膜

以五氯化钽为反应前驱体,三嵌段两性聚合物P123做天然模板,用溶胶凝胶法制备出了介孔五氧化二钽薄膜.经过SEM检测分析,薄膜厚度约为200 nm.XRD研究结果表明,制得的薄膜具有明显的介孔结构,经TEM检测可以观察到孔洞结构;得到的五氧化二钽薄膜经过400℃煅烧1 h,介孔结构仍然得到保留.

五价钽、锂掺杂对Y-TZP微观结构和性能的影响

在前人工作的基础上，本文作者进一步深入细致地分析总结了Ｎｂ２Ｏ５和Ｔａ２Ｏ５对Ｙ－ＴＺＰ微观结构和宏观性能的影响并提出自已的见解。研究发现Ｎｂ２Ｏ５和Ｔａ２Ｏ５的添加使得Ｙ－ＴＺＰ轴比及热膨胀各向异性增大，马氏体相变起始温度升高，可相变ｔ－ＺｒＯ２含量上升有利于材料机械性能的提高。

五氧化二钽镀膜材料

介绍了五氧化二钽镀膜材料的制作工艺及材料和膜层性能。

碱熔等离子质谱法测量钽矿石中五氧化二钽

通过混酸消解与过氧化钠碱熔消解比对,确立碱熔消解钽矿石中五氧化二钽的测量方法,碱熔消解分析结果重现性好,检出限低,准确性好,五氧化二钽检出限0.13 ng/m L,国家一级标准物质准确度RE%为-2.6%,实现钽矿石中五氧化二钽的准确测量。

九江冶炼厂建成高纯五氧化二钽生产线

九江有色金属冶炼厂依靠本厂的技术力量,自筹资金。

SOM法金属氧化物制取金属新技术

以MgF2-CaF2为熔盐电解质，利用固体透氧膜（SOM）法直接电解还原Ta2O5和TiO2制备了金属钽和钛，分析了制样压力和电解温度对阴极产物形貌的影响以及电流的变化规律．结果表明：SOM法直接制备金属钽和钛的电解速度快，电流密度高，合理的制样压力为250～332MPa，电解电压为3．2～3．8V，电解温度在1373～1432K之间。该方法较FFC有诸多优点，用于对我国各类稀有难熔金属矿资源进行开发利用，具有好的发展前景．

三相界面反应机制在SOM法制备金属钽中的应用

利用固体透氧膜(SOM)法电解还原Ta2O5制备金属钽,通过三相界面反应机制讨论了阴极微结构对电解过程及产物形貌的影响。结果表明:阴极片的颗粒尺寸与孔隙率是影响有效三相界线的重要因素;孔隙率大和粒度小均有利于电解还原的进行,孔隙率小会导致阴极产物形成致密的金属钽外层,阻碍阴极进一步脱氧;成型压力4MPa时1150℃烧结2h制备的阴极片具有合适的孔隙率和粒度,电化学活性良好,电解产物形貌均匀,氧含量低。

Ta_2O_5直接制备金属钽的研究

利用固体透氧膜(SOM)法对Ta2O5直接电解制备金属钽进行了研究。Ta2O5粉经压片烧结后制成阴极,氧化钇稳定氧化锆管内的碳饱和铜液为阳极,混合熔盐MgF2-CaF2为电解质,在1150℃不同电压下进行电解。经XRD,SEM等分析表明:在透氧膜稳定的条件下,电压越高,脱氧速度越快。该方法制备金属钽具有电解速度快、电流密度高等优点,发展前景良好。

废旧高温合金中钽回收工艺的研究

采用氧化酸浸—碱烧—水浸工艺处理某废旧高温合金粉末得到钽、铌、锆富集渣,然后经"分步浸出—萃取分离—离子交换除杂—氢氧化钠沉淀"制取五氧化二钽。结果表明,回收提纯的五氧化二钽可达到YS/T427-2000国标要求。

利用SOM法制备金属钽

在熔盐MgF2-CaF2中以预烧成型的Ta2O5为阴极,氧化钇稳定氧化锆管内的碳饱和铜液为阳极,利用固体透氧膜(SOM)法直接电解还原Ta2O5制备了金属钽。在3.5V电压下,研究了不同温度下阴极产物的形貌及其对脱氧的影响,分析了电流随时间变化的规律。结果表明:随着电解温度的升高,脱氧速度加快,金属钽颗粒尺寸明显增大,其形貌由海绵状向块状转变;当温度为1423K时,具有较好的金属钽制备效果。