五碲化锆超快光激发表面电流特性研究

利用反射式太赫兹时域光谱研究飞秒光激发狄拉克半金属五碲化锆表面产生的瞬态光电流,进而分析五碲化锆产生太赫兹辐射的几种物理过程。实验结果表明,偏振无关的光电流是表面电流的主要成分,同时太赫兹振幅与泵浦脉冲的线偏振相关,表明部分电流产生于非线性光整流效应。圆偏振光泵浦下,太赫兹振幅随泵浦脉冲呈四倍周期性变化,证实五碲化锆在飞秒脉冲泵浦下产生圆偏振光电流效应。进一步分析超短激光脉冲激发下的太赫兹时域电场,揭示五碲化锆在光诱导下发生反演对称性破缺,产生B声子,形成瞬态外尔点,发生从狄拉克态到外尔态的转变。这对研究拓扑相变和其他拓扑态等方面具有重要意义。

ZrTe_(5)的太赫兹辐射研究

为了研究层状ZrTe_(5)(五碲化锆)在飞秒脉冲激发下的超快瞬态太赫兹辐射,利用太赫兹时域反射系统对其进行了测试分析。通过分析层状ZrTe_(5)太赫兹电场幅度与飞秒激光泵浦功率及泵浦脉冲偏振关系,获得了层状ZrTe_(5)产生太赫兹辐射的主要机理。同时还对比了相同泵浦条件下层状ZrTe_(5)和本征GaAs(砷化镓)太赫兹辐射强度。研究表明,层状ZrTe_(5)具有带隙结构窄、吸收深度浅、光生电子剩余能量较大、载流子迁移率较高等优势,在太赫兹产生方面比传统半导体具有更好的性能。该研究可为发现高效、高度集成化太赫兹辐射源提供参考。