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聚硅烷在XeCl准分子激光作用下光降解及亚微米光刻的研究 被引量:3
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作者 傅鹤鉴 李高全 +3 位作者 谭键 马洪 陈德本 谢茂浓 《四川大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1997年第4期489-492,共4页
采用308nmXeCl准分子激光研究了聚硅烷溶液和聚硅烷薄膜的光降解反应,利用玻璃片为基底,旋转涂布,分别以酚醛树脂和聚氨酯为平坦层,以聚硅烷为成像层和阻挡层,构成双层工艺,进行接近式曝光,用混合溶剂显影,并通过O2... 采用308nmXeCl准分子激光研究了聚硅烷溶液和聚硅烷薄膜的光降解反应,利用玻璃片为基底,旋转涂布,分别以酚醛树脂和聚氨酯为平坦层,以聚硅烷为成像层和阻挡层,构成双层工艺,进行接近式曝光,用混合溶剂显影,并通过O2-RIE处理,最终得到了亚微米的光刻图形. 展开更多
关键词 聚硅烷 光降解 光刻 亚微米光刻 准分子激光
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光学邻近校正改善亚微米光刻图形质量 被引量:5
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作者 石瑞英 郭永康 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第3期20-26,共7页
论述了近年来光学邻近校正技术的进展,讨论了各种行之有效的改善光刻图形质量的校正方法,并分析了邻近效应校正在未来光刻技术中的地位和作用。
关键词 亚微米光刻 光学邻近效应 光学邻近校正 图形质量
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亚微米光刻中最佳焦深的傅里叶函数分析
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作者 S.Jeffrey Rosner Nader Shamma +2 位作者 Frederik Sporon-Fiedler 谢中生 王庆丰 《电子工业专用设备》 2000年第1期27-31,共5页
关键词 焦成电路 亚微米光刻 焦深 傅里叶函数分析
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亚半微米投影光刻物镜的研究设计 被引量:3
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作者 陈旭南 姚汉民 +4 位作者 李展 林妩媚 余国彬 罗先刚 张津 《微细加工技术》 2000年第1期26-30,共5页
介绍了分步重复投影光刻机亚半微米光刻物镜光学和机械结构研究设计、设计结果 ,以及公差控制。指出技术指标已达到 :数值孔径NA =0 .6 3、工作波长λ =36 5nm、倍率 5x、工作分辨力R 0 .35 μm ,设计物镜所用透镜片数最少 ,无胶合件 ... 介绍了分步重复投影光刻机亚半微米光刻物镜光学和机械结构研究设计、设计结果 ,以及公差控制。指出技术指标已达到 :数值孔径NA =0 .6 3、工作波长λ =36 5nm、倍率 5x、工作分辨力R 0 .35 μm ,设计物镜所用透镜片数最少 ,无胶合件 ,并具有暗场同轴对准和温度气压控制补偿功能。 展开更多
关键词 微米光刻 投影物镜 设计 集成电路
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0.4μm条宽的光刻 被引量:10
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作者 刘明大 李淑文 史素姣 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1994年第4期336-339,共4页
文章讨论了MJB3UV300型光刻机的控制调整。以及抗蚀剂工艺条件的改进,消除影响曝光分辨率的驻波和衍射作用,实现了边缘整齐陡直、0.4μm条宽的光刻。
关键词 光刻 亚微米光刻 光刻 ULSI OEIC
全文增补中
超微细加工及设备
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《中国光学》 EI CAS 1997年第6期66-67,共2页
TN305 97063966铜激光倍频光亚微米投影光刻系统的设计和实验研究=Submicron projeetion lithography with sec-ond-harmonic light of copper vapor laser[刊,中]/黄惠杰,,路敦武,杜龙龙,任虹,梁培辉(中科院上海光机研究所.上海(20180... TN305 97063966铜激光倍频光亚微米投影光刻系统的设计和实验研究=Submicron projeetion lithography with sec-ond-harmonic light of copper vapor laser[刊,中]/黄惠杰,,路敦武,杜龙龙,任虹,梁培辉(中科院上海光机研究所.上海(201800))∥光学学报.—1997。 展开更多
关键词 铜激光倍频光 实验研究 中科院 光刻系统 研究所 投影光刻物镜 亚微米光刻 超微细加工 微光学元件 学报
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微细加工技术与设备
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《中国光学》 EI CAS 2000年第2期101-102,共2页
TN305.7 2000021426激光直写邻近效应的校正=Optical proximity correctionin laser direct writing[刊,中]/杜惊雷,黄奇忠,姚军,张怡霄,郭永康(四川大学物理系.四川,成都(610064)),邱传凯(中科院光电所微细加工光学技术国家开放实验室... TN305.7 2000021426激光直写邻近效应的校正=Optical proximity correctionin laser direct writing[刊,中]/杜惊雷,黄奇忠,姚军,张怡霄,郭永康(四川大学物理系.四川,成都(610064)),邱传凯(中科院光电所微细加工光学技术国家开放实验室.四川,成都(610209)),崔铮(英国卢瑟福国家实验室)//光学学报.-1999,19(7).-953-957邻近效应是限制光刻系统分辨力的一个重要因素,它也限制了激光直写在亚微米和亚半微米光刻中的应用。分析了激光直写邻近效应产生的原因,指出它和电子束直写及投影光刻的区别。 展开更多
关键词 激光直写 光学邻近效应 大学物理 国家实验室 四川 微米 微细加工光学技术 微米光刻 电子束直写 开放实验室
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Surface plasmon interference pattern on the surface of a silver-clad planar waveguide as a sub-micron lithography tool 被引量:3
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作者 ZHU QiuXiang HU CanDong +7 位作者 WANG WenJie HE Miao ZHOU Jun ZHAO LingZhi PENG ZhiXiang LI ShuTi ZHU Ning ZHANG Yong 《Science China(Physics,Mechanics & Astronomy)》 SCIE EI CAS 2011年第2期240-244,共5页
A new sub-micron photolithography tool has been realized by utilizing the interference of surface plasmon waves(SPWs) on the near surface of a silver(Ag)-clad ultraviolet(UV) planar waveguide.A laser beam with a wavel... A new sub-micron photolithography tool has been realized by utilizing the interference of surface plasmon waves(SPWs) on the near surface of a silver(Ag)-clad ultraviolet(UV) planar waveguide.A laser beam with a wavelength of 325 nm was incident into the waveguide core,and suffered a series of total internal reflections on the interfaces between the waveguide core and the cladding layers.The incident light and the reflected light induced two beams of SPWs traveling in contrary directions,which interfered with each other and formed a standing wave as a sub-micron photolithography tool.A near-field scanning optical microscope(NSOM) was employed to measure the intensity distribution of the stationary wave field of the near surface of the Ag layer of the waveguide,anastomosed with theoretical values acquired by use of finite difference time domain(FDTD) simulations.And with this sub-micron photolithography tool a SMG with a period of 79.3 nm,in good agreement with the theoretical value of 80.1 nm,was inscribed on the surface of a self-processing hybrid SiO2/ZrO2 solgel film for the first time. 展开更多
关键词 表面等离子体 亚微米光刻 平面波导 工具 干涉条纹 近场扫描光学显微镜 近场光学显微镜
原文传递
电子工艺
9
《电子科技文摘》 2006年第4期37-39,共3页
关键词 电子工艺 隧穿 超分辨近场结构 变幅杆 会议录 会议资料 亚微米光刻
原文传递
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