H型亚微米梁的混频特性测量

本文简述了H型亚微米梁的工艺实现过程,从实验上详细研究H型梁的两种混频方式:向下混频和向上混频.考察的H型梁长度分别为8μm、10μm、12μm和15μm,小激励下谐振频率分别为13.30 MHz、8.77 MHz、6.12 MHz和3.65 MHz.通过在梁上施加两路不同频率的静电激励信号,调整两信号频率差值及和值在梁的本振频率附近变化,经过梁的自适应过程实现信号混频,最后由多普勒测振仪检测梁的混频特性.实验结果表明梁在向下混频时的振幅随两路信号频率的平移而改变,出现所谓的窗口效应;对于这两种混频方式,混频分量越接近梁的本征频率,梁的振幅越大,反之梁振幅下降越多;在输入信号功率均设置为14 dBm时,对比向上混频,向下混频使得梁的振幅更大,诸如12μm长的梁向下混频时梁振幅为4.082 nm,而向上混频时混频处振幅仅为1.826 nm.

基于金硅腐蚀自停止技术的亚微米梁制作研究

提出了利用无电极电化学腐蚀自停止技术制作亚微米梁结构的新工艺方法。根据金硅腐蚀自停止现象发生的条件,结合硅材料的各向异性腐蚀特性,设计器件结构,利用腐蚀暴露面积变化实现了硅的选择性自停止腐蚀。在(111)型硅片上利用原电池钝化效应一次性腐蚀出与衬底绝缘,由约4μm厚的金电极支撑,厚度约为235 nm的亚微米梁结构,具有制作简单、成品率高、成本低等特点,应用前景广阔。