一种制作亚微米线条的有效方法

本文介绍利用普通接触式曝光系统和等离子刻蚀机来制作亚微米线条。基本工艺是用深紫外线作为光源，对曝光后的光刻胶在ＨＭＤＳ或ＴＭＤＳ气氛下加热处理，然后采用氧反应离子刻蚀，结果可得到０．７微米的光刻胶线条，其端面完整、侧壁陡直，非常适合于大规模集成电路制造中的剥离工艺。

光刻亚微米线条研究

本文根据惠更新-菲涅耳原理,研究了提高光刻分辨率,提高光刻套准精度和在制版困难的条件下光刻亚微米线条的几种方法;并用实验证实了结论。

亚微米线条的微纳光纤笔直写技术研究

提出了一种利用微纳光纤笔(MNFP)直接写入亚微米线条的技术,利用微纳光纤笔在光刻胶表面接触式扫描,从而曝光产生亚微米线条。热熔拉伸和湿法刻蚀两步工艺相结合的新方法被用来制做微纳光纤笔。实验研究表明,直写分辨率可以达到稳定的200nm线宽。这一分辨率已经突破了曝光波长(442nm)的衍射极限。结果也显示了,通过改变光强,微纳光纤笔可以直写曝光出亚微米范围内宽度可变的线条。