亚微米集成电路库设计技术

一、前言 集成电路制造工艺已经从亚微米过度到深亚微米。随着设计规模与复杂度的不断增加,产品推向市场的时间要求又越来越短,现在逻辑设计的IC设计师大都脱离原来的低层次原理图设计方法而采用高层次设计(HDL:High Level Design Language),设计综合成为逻辑设计的主流,以达到提高设计效率、缩短开发产品周期的目的,而逻辑综合就必需要有综合库。

亚微米集成电路的ESD保护设计

介绍了一种带ESD瞬态检测的VDD-VSS之间的电压箝位结构,归纳了在设计全芯片ESD保护结构时需要注意的关键点;提出了一种亚微米集成电路全芯片ESD保护的设计方案,从实例中验证了亚微米集成电路的全芯片ESD保护设计。

亚微米、深亚微米集成电路

亚微米集成电路指特征尺寸为1微米至0.5微米的集成电路芯片。深亚微米集成电路指特征尺寸小于0.5微米到0.05微米的芯片。亚微米、深亚微米集成电路的线宽已接近纳米量子效应区。"十五"期间,亚微米、深亚微米集成电路的设计和制造已列为高新技术工程重点项目之一。在信息安全、通信、消费类电子产品等领域,着力提高集成电路芯片的自主开发能力、系统设计水平:在信息产品系统中,逐步提高国产芯片的比例;在设计工具和设计方法方面,不断提高研究水平和应用水平;在生产制造方面。

亚微米CMOS集成电路抗总剂量辐射版图设计

随着商业集成电路生产进入亚微米工艺时代,其生产出的微电子器件抗辐射能力不断提高,使得对专用集成电路进行抗辐加固设计成为可能。主要介绍了抗电离辐射的基本加固方法以及一种可以节省芯片面积的版图设计方法,使得在商用工艺上可以获得集成度更高的具有抗辐射能力的专用集成电路。

亚微米IC器件中接触孔的填充和铝金属化工艺的技术

在亚微米 IC器件的铝金属化工艺中 ,采用了阻挡层和硅化物后 ,发现随着铝淀积温度的升高 ,铝的阶梯覆盖率有所提高 .为克服高温淀积带来的问题 ,采用了两步的冷 /热铝溅射和浸润层等工艺代替原来的铝溅射 .通过研究和一系列的比较实验 ,发现影响铝填充性能的主要因素为 :热铝淀积温度、热铝淀积功率、Ti浸润层厚度及冷热铝厚度比 .由此得到了适合于实际亚微米

亚微米CMOSIC中自对准硅化物工艺的研究

自对准硅化钛工艺有许多重要的优点。但也存在栅氧化物的完整性、硅化物桥接短路、pn结损伤、二极管特性退化等问题。文章针对这些问题 ,在硅化前和硅化后的清洗、硅化的快速退火处理、接触电阻最佳化以及在硅化物上的接触孔腐蚀的选择性等方面进行了改进 ,有效地解决了问题。

国内要闻

四部委发布产业政策我国重点发展高新技术产业近日国家经贸委等四部委联合发布《国家产业技术政策》通知,这次制定的国家产业技术政策以"十五"时期为重点,同时兼顾"十五"后5年的发展。该《通知》分为制定国家产业技术政策面临的新形势。

建设简讯

2001年7月31日下午,中共新疆维吾尔自治区委书记王乐泉在接受香港《中华文摘》驻京编辑采访时称,新疆在“十五”期间固定资产投资将达到四千五百亿元人民币,相当于新疆前五十年固定资产投资的总和。 王乐泉称,在实施西部大开发战略的十二个省区中,中央已明确指出,新疆是重中之重。这是基于新疆在全国的政治和经济战略地位所决定的。 新疆地处中国西北边疆,与八国接壤,少数民族人口众多,且多信奉伊斯兰教;其地上地下资源丰富。

CADENCE系统上Timing-Driven设计流程探讨

本文首先介绍了亚微米领域集成电路中的寄生参数选取模型 ,然后给出了一种称之为时序驱动的设计流程 ,并对其中的关键步骤和工具作了简要介绍 ,着重介绍了布局布线工具SE中的时序驱动设计方法 。