亚微米BiCMOS电路纵向NPN管的ESD保护研究

文章以0.6μmN外延BiCMOS工艺为基础,研究了纵向NPN管的ESD保护行为,并对不同版图结构的纵向NPN管进行了ESD行为研究。实验表明,由于基区的内在电阻不一样,在该工艺条件下,CEB、CEBE结构比CBE、CBEB结构SNAPBACK效应明显,机器模式下ESD保护能力强。此外,还研究了兼容低压Vz工艺,单级保护NMOS输出管的纵向NPN器件的ESD行为,流片显示采用EB结齐纳击穿的纵向NPN能有效单级保护CMOS的输出级。

亚微米BiCMOS[B]芯片与制程剖面结构

亚微米BiCMOS[B]技术能够实现双极型与CMOS元器件兼容的工艺。为了便于集成,采用双极型制程为基础,引入CMOS元器件工艺,在同一硅衬底上实现兼容的BiCMOS[B]工艺。这是采用亚微米Bi CMOS[B]集成电路芯片结构设计、工艺与制造技术,依该技术得到了芯片制程结构。