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全新深亚微米X射线T型栅工艺
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作者 张菊芳 韩勇 +6 位作者 彭良强 谢常青 陈大鹏 孙加兴 李兵 叶甜春 伊福庭 《北京同步辐射装置年报》 2001年第1期142-144,共3页
GaAs半导体材料可以提高器件运行速度，日益引起人们的注意，但是也给器件制造者带来了许多问题。在本文个，一个全新的可应用于HEMT器件的深亚微米X射线T型栅工艺被提出来，该工艺采用三层胶方法，曝光实验是在北京同步辐射3BlA束线上... GaAs半导体材料可以提高器件运行速度，日益引起人们的注意，但是也给器件制造者带来了许多问题。在本文个，一个全新的可应用于HEMT器件的深亚微米X射线T型栅工艺被提出来，该工艺采用三层胶方法，曝光实验是在北京同步辐射3BlA束线上进行的，并且取得了好的结果。 展开更多
关键词 GAAS 半导体材料 亚微米x射线t型栅工艺 制造 半导体器件 x射线光刻 同步辐射 砷化镓
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用三层胶工艺X射线光刻制作T型栅 被引量：3
2
作者 孙加兴 叶甜春 +2 位作者 陈大鹏 谢常青 伊福庭 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期358-360,共3页
采用三层胶工艺 X射线光刻制作 T型栅 ,一次曝光 ,分步显影 ,基本解决了不同胶层间互融的问题 .该方法制作效率高 ,所制作的 T型栅形貌好 ,头脚比例可控 ,基本满足器件制作要求 .
关键词 x射线光刻 PHEMt t型栅 三层胶工艺
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