亚禁带光照对CdZnTe晶体中晶界电场分布的影响

晶界是限制CdZnTe核辐射成像探测器大面积应用的主要缺陷之一.为了探究改善晶界附近电场分布特性的方式,本文采用Silvaco TCAD从理论上研究了亚禁带光照对于含晶界CdZnTe探测器内电场分布的影响.仿真结果表明,在无偏压下,亚禁带光照能使得晶界势垒降低,从而减小对载流子传输的阻碍作用.在外加偏压下,亚禁带光照使得晶界引起的电场死区消失,使其电场分布趋向于线性分布.同时研究了不同波长和不同强度的亚禁带光照对于晶界电场分布的影响,结果表明光强低于1×10^(-9)W/cm^(2)时,亚禁带光照对于CdZnTe晶体的电场无调节作用.而在波长850 nm,光强1×10^(-7)W/cm^(2)的亚禁带光照下,实现了更平坦地电场分布,因此可有效地提高器件的载流子收集效率.仿真结果为调节晶界电场分布提供了理论指导.