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亚稳态γ-Mn与GaAs(100)界面的形成:扩散和化学反应
1
作者
张明
董国胜
+3 位作者
徐敏
陈艳
金晓峰
朱兴国
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995年第1期115-121,共7页
利用低能电子衍射、电子能量损失谱和X射线电子能谱,对亚稳态了γ-Mn在清洁、有序的GaAs(100)表面的淀积过程进行了研究.研究结果表明,淀积初期锰的生长是层状的.在生长过程中界面发生互混井伴随着Mn与衬底间的化学反应.我们用一简单的...
利用低能电子衍射、电子能量损失谱和X射线电子能谱,对亚稳态了γ-Mn在清洁、有序的GaAs(100)表面的淀积过程进行了研究.研究结果表明,淀积初期锰的生长是层状的.在生长过程中界面发生互混井伴随着Mn与衬底间的化学反应.我们用一简单的模型对上述过程进行了理论计算,得到的结果与实验基本吻合.这对于进一步理解亚稳态γ-Mn的形成机理具有重要意义.
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关键词
亚稳态γ-mn
GaAs(100)
界面
扩散
化学反应
原文传递
题名
亚稳态γ-Mn与GaAs(100)界面的形成:扩散和化学反应
1
作者
张明
董国胜
徐敏
陈艳
金晓峰
朱兴国
机构
复旦大学李政道物理综合实验室和应用表面物理国家重点实验室
浙江大学基础部
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995年第1期115-121,共7页
基金
国家自然科学基金资助的课题
文摘
利用低能电子衍射、电子能量损失谱和X射线电子能谱,对亚稳态了γ-Mn在清洁、有序的GaAs(100)表面的淀积过程进行了研究.研究结果表明,淀积初期锰的生长是层状的.在生长过程中界面发生互混井伴随着Mn与衬底间的化学反应.我们用一简单的模型对上述过程进行了理论计算,得到的结果与实验基本吻合.这对于进一步理解亚稳态γ-Mn的形成机理具有重要意义.
关键词
亚稳态γ-mn
GaAs(100)
界面
扩散
化学反应
Keywords
Diffusion
Manganese deposits
Semiconducting gallium arsenide
Transition metals
分类号
O4 [理学—物理]
O484 [理学—固体物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
亚稳态γ-Mn与GaAs(100)界面的形成:扩散和化学反应
张明
董国胜
徐敏
陈艳
金晓峰
朱兴国
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995
0
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