用光激开关产生高功率亚纳秒电脉冲的研究

报道了用全固态绝缘结构研制的横向型半绝缘 Ga As光电导开关产生高功率亚纳秒电脉冲的性能和测试结果。8mm电极间隙的开关暗态绝缘强度达 3 0 k V。分别用 ns,ps和 fs激光脉冲触发开关的测试表明 ,开关输出电磁脉冲无晃动。 3 mm电极间隙开关的最短电流脉冲上升时间小于 2 0 0 ps,脉宽达亚 ns;在偏置电压 2 0 0 0伏 ,光脉冲宽度 8ns,能量 1 .2 m J的触发条件下 ,峰值电流达 5 60 A。用重复频率为 76MHz和 1 0