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一种高性能的亚阈值基准电压源设计
被引量:
3
1
作者
代赟
张国俊
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2013年第5期108-111,116,共5页
本文给出了一种基于亚阈值MOS特性的基准电压源.通过使用线性区工作的MOS管代替传统电阻来消除掉迁移率和电流的温度影响,拓宽了温度范围,改善了性能.采用0.5μmCMOS工艺进行仿真.结果表明电路能在2.5~8V范围内工作,线性调整率为0.3mV...
本文给出了一种基于亚阈值MOS特性的基准电压源.通过使用线性区工作的MOS管代替传统电阻来消除掉迁移率和电流的温度影响,拓宽了温度范围,改善了性能.采用0.5μmCMOS工艺进行仿真.结果表明电路能在2.5~8V范围内工作,线性调整率为0.3mV/V.在3.3V工作电压下,输出基准在-55℃到150℃温度范围内温度系数为7.3ppm/℃,静态功耗为13.8μW,1kHz下电源抑制比为-53dB.该基准电压源的设计能满足宽温度范围、低温漂、低功耗和高电源抑制比的要求.
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关键词
亚阈值基准电压源
线性区
温度系数
电
源
抑制比
低功耗
下载PDF
职称材料
题名
一种高性能的亚阈值基准电压源设计
被引量:
3
1
作者
代赟
张国俊
机构
电子科技大学薄膜与器件国家重点实验室
出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2013年第5期108-111,116,共5页
文摘
本文给出了一种基于亚阈值MOS特性的基准电压源.通过使用线性区工作的MOS管代替传统电阻来消除掉迁移率和电流的温度影响,拓宽了温度范围,改善了性能.采用0.5μmCMOS工艺进行仿真.结果表明电路能在2.5~8V范围内工作,线性调整率为0.3mV/V.在3.3V工作电压下,输出基准在-55℃到150℃温度范围内温度系数为7.3ppm/℃,静态功耗为13.8μW,1kHz下电源抑制比为-53dB.该基准电压源的设计能满足宽温度范围、低温漂、低功耗和高电源抑制比的要求.
关键词
亚阈值基准电压源
线性区
温度系数
电
源
抑制比
低功耗
Keywords
subthreshold voltage reference
linear region
temperature coefficient
power supply rejection ratio
low power
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种高性能的亚阈值基准电压源设计
代赟
张国俊
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2013
3
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职称材料
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