一种带温度保护和曲率补偿的带隙电压基准结构

介绍了带隙电压基准的一种改进设计,该结构通过引入MOS管亚阈值区电流特性的曲率补偿和温度保护的特性,不仅使电路在规定温度范围内具有更低的温度系数(10ppm/℃),而且能保证在温度升高至超出此温度范围的时候,基准电路的温度保护部分将输出逻辑电平信号,以达到外部电路控制的目的.同时温度保护电路具有迟滞效应,避免电路在温度T时产生震荡效应.

基于CMOS的低功耗基准电路的设计

基于带隙基准的原理,采用0.6μm、N阱CMOS工艺,文章设计了一种工作在亚阈值区的用于锂离子和锂聚合物电池充电保护芯片的低功耗基准电路。Hspice仿真结果表明:基准电压为1.068V,电源电压由1.8V到8V变化,电路最大消耗电流小于0.15μA;温度由-40℃到80℃变化,其温度系数约为±10ppm/℃。整个充电保护芯片测试结果,其功耗小于0.6μW。

一种全MOS管结构低压低功耗电压基准源的设计

提出了一种全MOS管结构的低压低功耗电压基准源,他利用一个工作在亚阈值区的MOS管具有负温度特性的栅-源电压与一对工作在亚阈值区的MOS管所产生的具有正温度特性的电压差进行补偿。电路采用标准的0.6μmCMOS工艺设计,已成功应用于一个低压差线性稳压器(LDO)中,具有优良的温度稳定性,在-40^+120℃范围内能达到37.4 ppm/℃,并可以在供电电压为1.4~5.5 V下工作,其总电流仅为4μA。