亚50 nm台阶高度标准物质的可控制备及定值研究

纳米台阶高度标准物质可以传递准确、可溯源的纳米高度量值。针对我国缺乏可控的高质量亚50 nm台阶高度标准物质制备技术的问题,提出了基于原子层沉积结合湿法刻蚀的纳米台阶高度标准物质研制方法,通过工艺过程优化实现了台阶高度亚纳米量级精确可控,制备出了最小公称高度仅为5 nm的亚50 nm台阶高度标准物质系列。其定值结果可溯源到米定义波长基准,扩展不确定度不超过2.0 nm,均匀性和稳定性较好,不同测试仪器一致性水平较高。研究结果表明,所研制的纳米台阶高度标准物质可以用于亚50 nm高度量值传递以及多种测量仪器之间量值的比对测量,其产业化批量生产的前景也将为半导体产业提供完善的计量保障。

NF-kappaB p50基因敲除小鼠子宫内膜异位症模型的建立及其研究

目的利用NF-kappaBp50基因敲除小鼠建立子宫内膜异位症模型探索NF-kappaBp50亚单位在子宫内膜异位症发生发展中的作用。方法利用子宫内膜移植法建立P50基因敲除小鼠及野生型对照小鼠的子宫内膜异位症动物模型,检测建模后异位病灶大小、免疫组化检测异位病灶、在位内膜以及阴道磷酸化p65(p-p65)、PKCepsilon和TRPV1的表达。结果 p50基因敲除小鼠异位病灶明显减小,并且,p50基因敲除小鼠异位病灶,在位内膜,以及阴道的p-p65 and PKCepsilon的表达也下降。结论 NF-kappaBp50亚单位在子宫内膜异位症的发生发展中起重要作用,可能是潜在的治疗靶标。

考虑二维量子力学效应的MOSFET解析电荷模型

在亚 5 0 nm的 MOSFET中 ,沿沟道方向上的量子力学效应对器件特性有很大的影响。基于 WKB理论 ,考虑MOSFET中该效应对垂直沟道方向上能级的影响 ,引入了其对于阈电压的修正。在此基础上 ,对沟道方向的子带作了抛物线近似 ,从而建立了一个考虑二维量子力学的电荷解析模型。根据该模型 ,得到二维量子力学修正和沟道长度以及其他工艺参数的关系。与数值模拟结果的比较表明 ,该解析模型的精度令人满意 ,并且得出以下结论 :二维量子力学效应使阈电压下降 ,并且在亚 5 0 nm的 MOSFET中 ,这个修正不可忽略。

二维量子力学效应对阈值电压的影响

在亚50nm的MOSFET中,沿沟道方向的量子力学效应严重影响了器件性能.基于WKB理论,考虑MOSFET中该效应对垂直沟道方向上能级的影响,引入了其时阈值电压的修正.继而对沟道方向的子带作了抛物线近似并进行了数值拟合,从而建立了一个考虑量子力学效应的全解析模型.由此模型可以得到二维量子力学修正和沟道长度以及其它器件参数的关系.与数值模拟结构比较可以得出如下结论:在亚50nm的MOSFET中,量子力学效应引入了阈值电压的修正是不可忽略的.且此全解析模型精度令人满意.

广播影视

“半岛”台将开播英语频道发展中国家为报道重点；第50届亚太电影节韩国影人大获全胜。

阳和汤含药血清对乳腺癌干细胞增殖的影响

目的观察阳和汤含药血清对乳腺癌干细胞HMLER90hi增殖的影响,探讨其作用机制。方法将20只雌性SD大鼠按随机数字表法分为阳和汤低、中、高剂量组和对照组,制备阳和汤含药血清和空白血清。采用MTT法检测各组在24、48、72 h对HMLER90hi细胞增殖的影响;实时荧光定量PCR检测各组细胞EphA4、NF-κB p50 mRNA表达水平。结果与对照组比较,阳和汤低、中、高剂量组细胞24 h[(0.818±0.061)、(0.706±0.073)、(0.587±0.052)比(0.928±0.075)]、48 h[(0.760±0.047)、(0.638±0.056)、(0.510±0.059)比(0.973±0.095)]、72 h[(0.672±0.102)、(0.508±0.092)、(0.448±0.048)比(1.023±0.099)]增殖活性均降低(P<0.05或P<0.01)。药物干预24 h后,与对照组比较,阳和汤低、中、高剂量组EphA4 mRNA[(0.54±0.07)、(0.54±0.07)、(0.33±0.04)比(0.68±0.09)]、NF-κB p50 mRNA[(0.69±0.10)、(0.54±0.08)、(0.41±0.06)比(0.85±0.13)]表达降低(P<0.05或P<0.01)。结论阳和汤可抑制乳腺癌干细胞HMLER90hi增殖,其作用机制可能与抑制单核巨噬细胞近分泌通路的传导有关。

脑缺血后自噬调控的信号通路

大量证据显示，自噬参与了脑缺血再灌注的发生和发展过程，自噬及其相关信号转导通路很可能是缺血性脑损伤的有效治疗靶点。文章对脑缺血后自噬调控的相关信号转导通路进行了综述。