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亚90nm沟道MOSFET亚阈值状态下二维电势和阈值电压的半解析模型
被引量:
1
1
作者
孟坚
柯导明
韩名君
《中国科学:信息科学》
CSCD
2013年第11期1496-1510,共15页
本文提出一个亚90nm沟道MOSFET在亚阈值状态下的二维电势和阈值电压的半解析模型.文章首先根据短沟道MOSFET在亚阈值状态下的物理模型提出定解问题,然后用特征函数将由氧化层和空间电荷区衔接条件所得到的超越方程组作正交展开,得到关...
本文提出一个亚90nm沟道MOSFET在亚阈值状态下的二维电势和阈值电压的半解析模型.文章首先根据短沟道MOSFET在亚阈值状态下的物理模型提出定解问题,然后用特征函数将由氧化层和空间电荷区衔接条件所得到的超越方程组作正交展开,得到关于未知量的线性代数方程组,求出了氧化层和空间电荷区的二维电势、耗尽层厚度和阈值电压的表达式.该模型不需要适配参数,运算量小,避免了方程离散化,计算精度与数值解精度相同.文章给出了沟道长度为90nm以下MOSFET的电势分布、表面势、耗尽层厚度和阈值电压计算结果,计算值与二维数值模拟值高度吻合.
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关键词
亚90
nm沟道MOSFET
二维电势分布
耗尽层厚度
阈值电压
半解析模型
原文传递
题名
亚90nm沟道MOSFET亚阈值状态下二维电势和阈值电压的半解析模型
被引量:
1
1
作者
孟坚
柯导明
韩名君
机构
安徽大学电子信息工程学院
出处
《中国科学:信息科学》
CSCD
2013年第11期1496-1510,共15页
基金
国家自然科学基金(批准号:61076086)
高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20103401110008)资助项目
文摘
本文提出一个亚90nm沟道MOSFET在亚阈值状态下的二维电势和阈值电压的半解析模型.文章首先根据短沟道MOSFET在亚阈值状态下的物理模型提出定解问题,然后用特征函数将由氧化层和空间电荷区衔接条件所得到的超越方程组作正交展开,得到关于未知量的线性代数方程组,求出了氧化层和空间电荷区的二维电势、耗尽层厚度和阈值电压的表达式.该模型不需要适配参数,运算量小,避免了方程离散化,计算精度与数值解精度相同.文章给出了沟道长度为90nm以下MOSFET的电势分布、表面势、耗尽层厚度和阈值电压计算结果,计算值与二维数值模拟值高度吻合.
关键词
亚90
nm沟道MOSFET
二维电势分布
耗尽层厚度
阈值电压
半解析模型
Keywords
sub-
90
nm channel MOSFET, 2-D potential distribution, depletion layer thickness, threshold voltage, semi-analytical model
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
亚90nm沟道MOSFET亚阈值状态下二维电势和阈值电压的半解析模型
孟坚
柯导明
韩名君
《中国科学:信息科学》
CSCD
2013
1
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