一类交叉耦合抛物型方程组解的整体存在及爆破问题

研究一类交叉耦合非线性抛物型方程组解的整体存在问题以及解在有限时刻爆破问题,通过构造方程组的上、下解,得到解整体存在及解在有限时刻爆破的充分条件.对指数型和幂函数型混合的反应项和边界流采用常微分方法构造其上下解,而其它例如第一特征法运用于该方程就比较困难.

一类交叉耦合抛物型方程组正解的爆破性质

研究一类交叉耦合的非线性抛物型方程组解的爆破问题,通过构造上下解,得到了解在有限时刻爆破的充分条件。

一类交叉耦合抛物型方程组解的爆破和整体存在性

分析一类交叉耦合的半线性抛物型方程组解的性质,通过构造上下解,讨论解的整体存在性和爆破,计算出方程组解的爆破临界指标。

X波段交叉耦合型SIR带通滤波器的设计

交叉耦合型阶跃阻抗滤波器以阶跃阻抗谐振器(SIR)作为基本谐振单元,不仅具有小体积、易集成、带外抑制度高等特点,而且因为耦合谐振在阻带引入了有限传输零点,提高了过渡带陡度,增加了滤波器的选择性。文章介绍了交叉耦合SIR带通滤波器的基本理论和设计方法,并在理论基础上结合HFSS软件设计了一个X波段交叉耦合型SIR带通滤波器。通过给出仿真结果,验证了交叉耦合型SIR带通滤波器的性能优点和小型化优势。

改进型交叉耦合双电机比例同步控制研究

针对双无刷直流电机同步控制难以满足转速比例同步控制和高精度控制问题,在交叉耦合控制结构的基础上,提出了一种改进型交叉耦合控制结构,并引入模糊控制算法,设计了模糊PID控制器。通过分析无刷直流电机的数学模型,结合模糊PID控制和空间电压矢量脉宽调制技术(SVPWM),在MATLAB/Simulink仿真实验平台上对改进型交叉耦合控制进行了仿真分析。仿真结果表明,改进后的交叉耦合控制可以实现双无刷直流电机的转速比例同步控制,在启动、升速和负载突变阶段,模糊PID相较于传统PID控制,同步误差分别减少了4%、24%和22%,控制精度更高,具有更好的稳定性与鲁棒性。

一种基于模式匹配法的新型波导双工器设计

为进一步提高频带间隔离度,获得陡峭的抑制边带同时不增加体积,文中设计了一款新型的S频段波导双工器。在传统膜片式波导滤波器的基础上,低频滤波器提出了一种新型的波导CT型感性交叉耦合结构,高频滤波器引入非谐振腔结构,工作频段为2.025~2.12 GHz&2.2~2.3 GHz。根据其结构的不连续性,采用模式匹配法进行快速分析设计。该双工器在通带的高、低频带外均产生了传输零点,在2.2~2.3 GHz与2.025~2.12 GHz频段内,隔离度分别大于60 dB与90 dB,回波损耗大于20 dB。与同等性能的传统双工器相比,该双工器尺寸小、设计简洁,可在电子工程中广泛应用。

基于枝节加载半波长谐振器的准椭圆函数带通滤波器设计

为了在较宽的频率范围内得到较高的带外抑制性能,提出了一种基于微带技术的新颖紧凑型准椭圆函数带通滤波器。该滤波器设计采用了枝节加载的半波长谐振器,具有电磁耦合谐振结构。谐振结构以交叉方式耦合到输入和输出馈线。由于枝节的存在会产生扰动,所以需要谐振器作为多模设备。此外,枝节引入了两个传输零点,以显著提高滤波器的通带选择性并抑制谐波和杂散。使用标准PCB技术对提出的滤波器进行实际制造和测试。结果显示,滤波器可以产生宽带响应,插入损耗低至0.74 dB,回波损耗大于20 dB,并且带外抑制在2 GHz^4.5 GHz和5.8 GHz^16 GHz范围内大于40 dB。

输入输出调谐的低相位噪声CMOS压控振荡器

设计了一个输入输出双调谐的CMOS压控振荡器(VCO),与传统的互补型交叉耦合对结构相比,该VCO谐振回路的有载品质因数得到提高,从而降低了相位噪声.采用CSM 0.25μm RF CMOS工艺设计,使用Cadence Spectre RF工具进行了仿真.仿真结果表明在2.5V的电源电压下,调谐范围为2.24～2.58GHz,达到了14.2%,相位噪声为-128dBc/Hz@1MHz,功耗为15mW.