一种具有高存储容量的交互式忆阻交叉阵列（英文）

基于忆阻的存储阵列有望取代现有的计算机存储系统,但其漏电流及路径问题仍然会对存储容量与效率产生较大影响。漏电流问题的严重性会随着存储阵列容量的增大而愈发明显;阵列规模越大,漏电流路径也随之增多。基于二极管的单向导通性和自适应读操作方法,提出一种具有高存储容量的交互式忆阻交叉阵列。实验仿真结果表明,该阵列结构在减少控制纳米线的同时,能够增大阵列的存储容量;并能有效解决漏电流问题。